(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。
(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。
(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。
三、资源综合利用及能耗
(一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。
(二)光伏制造项目能耗应满足以下要求：
1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合电耗小于140千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克;2.现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克;3.现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于45千瓦时/千克;4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片;5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/MWp;6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于8万千瓦时/MWp;薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。
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