“我们采用了三种不同的方式制造发射极，对于n型硅电池我们使用铝浆合铸和硼扩散两种技术制作p型发射极，对于p型太阳能电池我们则使用磷扩散的方法，”弗劳恩霍夫太阳能系统研究所的项目负责人christianSchmiga表示。
在研究硅铝合金发射极n型硅太阳能电池的过程中，弗劳恩霍夫太阳能系统研究所的研究人员已经取得了19.3%的转换效率。研究人员使用网印铝浆结合短时间高温烧结的工艺形成发射极。而采用硼扩散发射极的n型太阳能电池在增加了一层氧化铝之后，转化效率高达19.6%。
而采用磷扩散的p型太阳能电池在使用了激光电极烧结(LFC)技术后效率也达到了19.6%。
以上几种测试的电池均采用125x125mm2单晶硅片进行加工。弗劳恩霍夫太阳能系统研究所的研究团队表示这三种技术工艺简单，加工迅速，均不含其他调整或处理特殊结构的步骤。目前业界生产中80%的晶硅太阳能电池效率在14%到19%之间。不过在公布了以上测试结果后，弗劳恩霍夫太阳能系统研究相信工业生产效率突破20%只是时间问题。
2.Solar3D使用Silvaco仿真软件加速高效太阳能电池的开发
Solar3D近期安装了Silvaco公司的计算机仿真软件，在这款软件的帮助下Solar3D对年底前完成其新款太阳能电池的原型设计表示乐观。Solar3D公司表示，Silvaco的仿真软件可以轻松完成光线逐点反射的复杂分析计算。Solar3D将使用这种软件设计光学元件和透镜，减少太阳光的反射和电子的复合。
Solar3D的技术总监ChangwanSon博士表示，“我们经过慎重的考虑才选出了最合适的仿真工具。通过比较精确性、可用性、完整性和其他指标，Silivaco公司以很大的优势脱颖而出。我们对Silvaco的产品和其支持团队十分满意。他们在培训中给与了我们很大的帮助。这款软件将保证我们高效率地完成电池的原型设计。”
Solar3D公司的太阳能电池技术采用的三维结构据称可以增强对阳光的吸收，可以确保光子在该微光伏结构内激发电子。Solar3D的首席执行官吉姆·尼尔森(JimNelson)总结道：“升级系统为我们年底前完成原型设计带来了极大的信心。这一举措将帮助我公司迎来一个新纪元，未来我们将可以使用已有的技术为复杂过程建模，这将帮助我们了解并设计新的产品。仿真技术对新技术的开发有着深刻的影响。”
3.喷墨打印技术将助力太阳能电池喷
墨打印机是打印机产品中最为常见的一种产品。当然，这种技术并不过时，虽然我们一直认为在办公领域激光技术会取代喷墨技术，但是如果我们把目光放长远，就会发现，其实喷墨打印机可以完成很多东西的制作，比如高贵的花屏，或者是我们这篇文章的主题—太阳能电池的未来。
正如一台的打印行为是通过喷头将墨水喷射在纸张上一样，科学家认为这是无法打印硅的根本原因。然而如果利用不接触介质的喷墨，太阳能电池板的成品将会更薄而且更有效率，新一代的电池也将会就此而研发出来。
所以喷墨打印机可以取代现有的生产方式来进行太阳能电池的制造。而丝网印刷，则已经成为了过去时。“喷墨打印机可以完成规则图像的打印制作，所以对于今后的太阳能电池的制造更为方便。”在美国可再生能源实验室工作的科学家MaikelVanHest介绍说。
4.日本北陆先端科技大开发出利用液体硅制造太阳能电池的技术
日本北陆先端科学技术大学院大学(JAIST)最近宣布，该校世界首次采用“液体硅(Si)”涂覆工艺成功地制作出了非晶硅太阳能电池。据该校介绍，通过仅涂覆pin型i层的工艺制作的电池单元的转换效率为1.79%。今后，如果这一效率得到提高的话，则有望应用于采用卷对卷法制造硅类太阳能电池的量产用途。
此次负责开发的是JAISTMaterialScience(JAIST材料科学)研究科教授下田达也的研究小组。该研究小组称，此次采用的液体硅是由日本JSR公司开发的产品，氢键合在硅的5节环上而形成的CPS(环戊硅烷，化学式为Si5H10)为起始材料。
虽然JAIST没有公布液体硅的详细情况，但日本JSR于2006～2007年开发的是通过向碳氢溶媒中的CPS照射UV，使部分CPS发生聚合，从而生成聚硅烷(SiH2呈链状键合而成的高分子)。当时，日本JSR以及JAIST等机构从这种液体硅中制作出了非晶硅TFT。
此次JAIST等对液体硅的成分进行了优化，另外还采用了硅掺杂时使用的硼以及磷，开发出了分别具备p型、i型及n型半导体特性的“硅油墨”。将这种硅油墨涂覆在基板上并进行处理，则可形成聚硅烷膜。如果进一步对其进行加热，则氢元素便会从聚硅烷中脱离出来，从而形成固体的非晶硅。
过去在形成均匀的聚硅烷膜的阶段曾经存在着无法解决的难题，但JAIST等在详细调查了控制参数之后，解决了这一难题。另外，JAIST称，对聚硅烷膜的烧制条件也进行了优化，从而将同样是此前一大难题的悬空键(DanglingBond)的密度降低到了1×1016/cm3。
JAIST采用此次开发的工艺，在玻璃基板上制作出了pin型非晶硅太阳能电池。此前仅对i层采用此次的涂覆工艺、对p层及n层采用CVD法制作的电池单元，其转换效率为1.79%。而对pin层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高。
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