SPG太阳能公司增加了两个新的高管团队高管

实验结果表明，F-CPP处理后的钙钛矿薄膜介电常数提升约2倍，器件瞬态反向击穿电压达-6.6V，为银基钙钛矿太阳能电池中的最高值之一。结论展望本研究通过引入F-CPP介电分子桥，成功实现了钙钛矿太阳能电池效率与反向击穿电压的双重突破，首次系统解决了钙钛矿电池在实际应用中的反向偏压稳定性难题。

目前，隆基、晶科、天合、通威等头部组件企业均布局700W+组件产品，并实现量产落地。头部企业集体押注700W+，不仅是因为技术突破的驱动，更是因为700W+组件的客户价值和可靠性。在可靠性测试方面，700W+组件已“全优”通过KiwaPVEL、RETC等多个国际权威第三方机构加严可靠性测试。多项三方机构的测试和奖项共同证明，行业主流700W+组件无论是可靠性还是发电性能都表现卓越，其领先价值得已获业内全方位认可。

本文成都理工大学陈雨和四川大学彭强等人提出了一种介电分子桥策略，采用双氯膦调控钙钛矿结晶、抑制离子迁移、调节界面能带排列并钝化非辐射复合。最优器件实现了26.60%的光电转换效率，最大瞬态反向击穿电压达-6.6V。介电性能显著增强：F-CPP处理使钙钛矿介电常数提升约两倍，器件瞬态反向击穿电压高达-6.6V，反向稳定性大幅提升。高效率与高稳定性兼具：器件效率达26.60%，并在多种应力测试下表现出优异的长期稳定性。

11月19日，阳光电源发布公告，公司收到公司职工代表董事、高级副总裁赵为先生，副总裁陈志强先生，副总裁彭超才先生，副总裁、董事会秘书陆阳先生，副总裁、财务总监田帅先生出具的《关于股份减持计划实施完成的告知函》，截至本公告披露之日，其减持计划已实施完成，上述人员合计减持32.97万股，占公司总股本的比例为0.0161%。

11月19日，捷佳伟创发布公告，公司于近日收到高级管理人员金晶磊女士、谭湘萍女士出具的《关于股份减持计划提前终止的告知函》，截至目前，金晶磊女士已减持股份5,000股，谭湘萍女士已减持股份2,000股，其本次减持计划提前终止，本次减持计划剩余未减持股份在本次减持计划期限内将不再减持。

工艺革新：低成本高量产，破解行业“不可能三角”DBC3.0Plus技术成功破解高效、成本、量产的行业“不可能三角”，展现出极强的产业化适配能力。此次论坛上DBC3.0Plus技术的全面亮相，不仅彰显了一道新能在n型电池细分领域的技术沉淀，更提供了高效率、低成本、高量产适配的协同解决方案，为新能源产业加速转型赋能。

针对这一挑战，浙江大学陈红征团队提出了一种新型后处理策略——溶剂浴热退火，实现了大面积OSC活性层在空气环境下的高效热处理。结论展望该研究开发的STA技术成功解决了传统热退火在空气中导致的薄膜降解与性能下降问题，通过PFD溶剂浴实现均匀加热与有效保护。该空气兼容、可扩展的退火策略为有机太阳能电池的大面积制造与商业化应用提供了切实可行的技术路径。

作为全球首个投入使用的2000V项目，一道新能携手华能集团打造的孟家湾182MW项目部分采用了2000V组件，目前已稳定运行两年，发电量数据表现优异，以硬核技术实力诠释了高电压技术对光伏产业绿色转型的强劲推动力。该项目直流侧安装容量达182MW，创新性部分采用一道新能业内首款2000V光伏组件，从设计、建设到并网发电，全方位展现高电压技术的应用优势。

CsPbBr等卤化物钙钛矿因其高颜色纯度、缺陷容忍性和可调带隙而成为下一代光电器件的有前途的材料。在超高真空下，使用紫外Nd：YAG激光器将通过逆温结晶合成的单晶CsPbBr靶材烧蚀到蓝宝石衬底上。在光学上，CsPbBr薄膜表现出2.36eV的直接带隙和以524nm为中心的强烈绿色发射。该工艺还有效抑制了缺乏Cs的杂质相的形成，这些杂质相通常会限制发光效率。该研究展示了一种在真空下构建高纯度卤化物钙钛矿异质结构的可控方法。

图文分析：图1.2H-PtSe单晶薄膜的合成与结构表征。e,f)表征元素化学态的高分辨率XPS图谱：e)Pt4f和f)Se3d。图3.生长参数对2H-PtSe薄膜厚度的调控规律。图6.PtSe光电晶体管的光响应机制分析。结论展望基于熔盐辅助空间限域CVD技术，本文成功制备出毫米级单晶PtSe薄膜，其厚度均匀、结晶质量高。电学测试表明，该薄膜具备典型的双极性行为，并表现出独特的双向光响应特性。变温条件下的电学输运与光电特性研究，进一步揭示了其双极性传导和负光电导效应的物理起源。

本研究通过低维模板与延迟结晶协同策略，成功实现了高质量锡基钙钛矿薄膜的可控制备及其高性能晶体管的构筑。该工作为锡基钙钛矿的结晶控制与高性能器件开发提供了有效途径，成果发表于《NatureCommunications》。图3锡基钙钛矿场效应晶体管的器件性能表征。本研究展示了一种通过调控结晶动力学路径以实现高性能、高稳定性锡基钙钛矿薄膜及器件的有效策略，为未来钙钛矿基电子器件的开发奠定了可靠基础。