在目前实用太阳能电池技术中，多数是基于多晶硅或者单晶硅材料，其转换效率最多18%左右，而来自美国硅谷的Alta Devices公司采用推出的一种新型可弯曲可嵌入太阳能电池，它的转换效率达到惊人的29%。其未来3年目标是实现转换效率37%。这种新型太阳能电池基于砷化镓材料以及独特的生产工艺技术，它将引发太阳能产业和新能源产业什么变革？请看来自硅谷的报道。
Alta Devices公司CEO Chris Norris指出：“Alta Devices公司在三个方面创新，一个是高效生长工艺，一个是复用GaAs晶圆的技术，一个是高转换效率。首先我们是在一个临时晶圆（template wafer）上使用MOCVD生长薄膜，然后分离薄膜，并复用这个晶圆，由此得到极薄可弯曲的薄膜，它可以做成任何形状，这种平板式“单结”（single junction）太阳能电池可以有高于其他工艺的转换效率。”而“多结”（Multi-junction）电池则含有多层，可吸收多种频率，能够实现更高的效率。所以Alta Devices公司的规划是明年推出双结产品，效率提高到33%！未来提供多结产品，转换效率提高到37%！
据介绍，这种新型太阳能电池技术由加州大学伯克利分校电气工程教授Eli Yablonovitch的研究小组提出，他们在研究太阳能电池转换效率时发现一个有趣的难以解释的现象。
Alta Devices公司还采用独特的工艺实现了可完曲的太阳能电池
这就是自1961年以来，科学家已经知道，在理想条件下，阳光照射到典型太阳能电池上，产生的电能数量有一个限度。这个绝对限度，从理论上说大约是33.5％。这意味着，最多只有33.5％的入射光子能量可以被吸收，并转换成有用的电能。但是50年过去了，研究人员一直无法接近这一效率：2010年来，人们取得的最高效率刚刚超过26％。
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