新型600 V CoolMOS™ C6器件采用第五代高电压超级结技术，实现极低的传导和开关损耗，可实现具有更高效率和功率密度水平的开关系统设计。由于传导损耗则在总体系统损耗方面占据主导地位，新型MOS 8™ IGBT已经针对低工作频率(10 KHz — 30 KHz)而优化。MOS 8 PT IGBT产品系列则在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低传导损耗特性。美高森美除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED，推动实现更高效的新型转换器拓扑，如三级逆变器、交错式PFC升压转换器及矩阵转换器。此外，美高森美不断扩大的DC/DC产品系列支持高达40V的输入电压，以及最高40A的广泛输出电流范围。该系列器件包括内置功率FET的开关调节器，以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz频率下运作的控制器。
•FPGA用于功率监控
SmartFusion智能混合信号FPGA在单一IC平台上集成了模拟前端、嵌入式ARM Cortex-M3处理器和可编程逻辑资源。这一灵活性为设计人员提供了开发低功耗的可适配平台的能力，能够精确地监控实时负载数据，同时满足多种安全连接性协议的要求。
Microsemi针对太阳能应用的后续产品开发焦点是提高灵活性、安全性和成本效益，并为不断扩大的光伏应用设计社群提供全部所需部件和支持，从而将其设计快速带入市场。
据IHS iSuppli公司的最新研究，全球光伏装机容量将持续增长，没有降温的迹象预计2014年新增光伏系统预计将达到38.1GW。
图：iSuppli 对2009-2014年全球光伏装机容量预测
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