三菱电子通过降低电极间的接触电阻,将多晶硅片电池转换效率提高至19.3%。经日本国家产业技术综合研究所(AIST)证实,此硅片(15厘米×15厘米×200微米)比该公司之前记录的19.1%高出了0.2%。该公司还宣称其超薄多晶硅太阳能电池(15厘米×15厘米×100微米)已达到18.1%的效率,在此前17.4%的基础上又提高了0.7%,并已得到日本国家产业技术综合研究所核实。
三菱为防止损失电阻,在电极形成前对电池片进行处理以改善电极接触性能。该公司表示,这样做与之前的光伏电池相比减少了4%的电阻损耗。
公司在之前19.1%的记录基础上又提高了0.2%,使其在实际测量的硅片电力输出上增加了约1%,从4.16W升至4.2W。
新的结果与之前开发的低反射和蜂窝构造表面处理等技术相结合,其目的是为了降低硅片表面反射 和 因其后表面结构所导致的太阳光能流失。