日本产业技术综合研究所（简称产综研）开发出了利用基于等离子体蚀刻（Etching）从硅块切割硅晶圆的技术，并在“第3届太阳光发电研究中心成果报告会”上做了报告。该成果是产综研与东洋先进机床（Toyo Advanced Technologies）共同开发出来的。
其原理为，在氟类气体环境中，在板状的Cu电极和硅块间施加高电压，通过Cu电极和硅块间出现的等离子体生成氟，利用氟对硅进行蚀刻。使用厚度80μm的Cu电极切断截面5mm见方的硅块时的切割宽度为100μm，切割速度为1.3μm/秒。
报告会上还披露了2枚电极同时切割的结果。晶圆厚度和切割宽度均为100μm。产综研表示，今后将通过Cu电极的位置和电压施加方法的优化，来推进切割速度的提高等改进。
现有的采用钢丝和磨粒的切削，切割宽度多为180μm左右。一般认为，为保持所能承受的切割强度，钢丝直径的减小有一定的限度，所以100μm以下的切割宽度很难实现。为了解决上述问题，除此次的等离子体蚀刻外，利用钢丝的放电进行切割的技术开发也正在进行之中。
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