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京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，面向混合动力车的马达控制用半导体等环境恶劣但需要高可靠度的用途，“各厂商供应工程样品，并获得了好评”。
使用上述晶圆开发半导体元件的业务主要由罗姆负责。目前试制完成的有SiC肖特基势垒二极管（SBD）、SiC DMOS FET，以及由二者组成的SiC逆变器模块等。SiC SBD与以往使用Si的高速二极管相比，拥有即使在200℃的高温下也很少发生热失控和漏电流增大现象，且半导体芯片面积较小的特点。“SiC元件能够以5mm见方的芯片处理100～200A的大电流。Si是做不到的”（罗姆研究开发本部长高须秀视）。 SiC DMOS FET也具有在200℃以上的温度下漏电流小，正向电阻的温度依赖性小等特点。Si DMOS则存在着在150℃以上的温度下漏电流激增，正向电阻随温度升高增大的问题。 另外，SiC逆变器模块与使用Si芯片的模块相比，芯片面积仅为后者的1/6，放热也仅为后者的1/2。因此可以大幅度缩小使用Si芯片所需的大型散热片，或是驱动更大的马达。 |
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