结晶炉
产业发展构筑质量与安全双重保障，为中国半导体产业的规模化与高质量发展贡献“芯”质力量。01、建厂后首批交付的TMEIC超导磁场恒定磁场 提质增效半导体生产的前段工艺中，在拉晶炉中使用超导磁场可提高晶体硅质量
结晶缺陷，从而使半导体晶圆拉制过程能够生产高质量的单晶硅。TMEIC
MCZ具有磁场领域广，分布均一，精确控氧等特性，能够显著提高晶棒的利用率和合格率，助力加速提升半导体制造工艺。通过为该项目提供
严苛。没有深厚的技术储备，就没法将生产效率拉满。目前，TCL中环从硅料进场到硅片出场周期，也已做到了行业最短。此外，TCL中环全球领先的单晶生长技术，也让晶体环节的硅料消耗率下降6%，单炉月产能增加19
。近年TCL中环的业绩高速增长，体现出该企业由里及外、由点到面的创新能力，也是其成功应用"工业4.0"智能制造理念的结晶。一个更强大的TCL中环，正渐露峥嵘。
光伏行业的高景气度会保持较长时间，多晶硅领域的投资热情会持续高涨。公司的多晶硅还原炉和冷氢化用电加热器分别是高纯多晶硅生产的核心设备和主要设备，作为多晶硅生产核心设备制造企业，公司将持续受益光伏行业的高景气
度，预计订单量会持续扩大。
在调研中，东方电热表示，流化床法工艺和西门子改良法工艺主要差别在于多晶硅结晶工艺不同，前段工艺基本上是大致相同的。公司生产的辐射式冷氢化用电加热器已用于流化床法多晶硅
(空气化学研究)和Universal Silicon, 1rlc.I。
直接电弧炉法(道康宁公司)
二氟化硅传输过程(摩托罗拉公司)
二氧化碳碳热还原(德州仪器公司)
在封闭循环过程中使用的
反应沉积在高度硅芯上，这些硅芯在还原炉内被电加热至高达1150C，反应生产出四氯化硅(简称STC) 被回重新氢化成TCS，达到循环反应的目的。这既需要维持冷氢化、还原和尾气回收，还需要有足够的物料
21日打通工艺全流程，目前已实现油品线保持90%以上负荷运行。新疆庆华煤制天然气项目碎煤加压气化炉单炉连续运行超过287天、甲烷化系统单套稳定运行超过265天。大唐克旗项目一期工程已具备长周期满(超
的稳定高效运行，废水回用率可达98%，其余2%的高浓盐水进入蒸发结晶系统结晶成盐，基本实现了污水不外排。中煤鄂尔多斯能源化工有限公司集成高级氧化、降膜式蒸发、超滤、纳滤、蒸发结晶技术处理矿井水和煤化工
中的 N 形成 SiNx 沉积到硅表面。优势：技术最成熟，易实现大 面积均匀性，材料缺陷态密度低。
管式 PECVD：使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热 体，将一个可以
、理想万里 晖均有 PVD 设备布局。
4)丝网印刷机：包括丝网印刷(包括丝网印刷机，烧结炉，分选机)和电镀铜电极 两种技术路线，目前以丝网印刷为主流。电镀铜电极相较而言更便宜，但是工序较 多
1.金属硅
金属硅，又称结晶硅或工业硅，金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品。据百川统计数据显示，2020年中国金属硅产量223万吨左右，较2019年下降2万吨。因新疆检修产能增多、云南限电
碳化硅碳化硅是一种无机物，是用石英砂、石油焦等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金刚砂或耐火砂。在全球市场中，单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning
浇铸法、热交换及布里曼法、电磁铸锭法。浇铸法 是将熔炼和凝固分开，熔炼在一个石英砂炉衬的感应炉中进行，熔融后的硅液浇入一个 石墨模型中。
该方法可以实现半连续化生产，其熔化、结晶和冷却分别位于不同的
移动使结晶好的晶体离开加热区，而液硅仍然处于加热区，这样在结晶过程中液固界面 形成了比较稳定的温度梯度，有利于晶体的生长。同时，晶体的生长速度也可调节。实 际生产所用的结晶炉大都采用热交换法及布里曼
和掺杂非晶硅钝化背面。其 中 SiO2 厚度 1-2nm，可使多子隧穿通过同时阻挡少子复合;掺杂的非晶硅厚度 20-200nm，经 过退火工艺使非晶硅重新结晶为多晶硅，可同时加强钝化效果，避免了在
PERC工艺中的热扩散炉不易控制精度，需要使用半导 体生产中的离子注入工艺，提高了生产的技术门槛和成本。
新型高效电池经济性分析
在目前可量产的新型高效电池
、丝网印刷和 光注入退火五个环节，对应设备分别为制绒清洗设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备和光固化炉。HJT 特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构对工艺、设备、生产环境、操作
薄膜结构更加致密、结晶度更高、表面更加光滑、导 电性更高、光学透过率更好1。此外，RPD 方法还具备低沉积温度、高速生长等优点，缺点在于设备成本较高，但 RPD 核心专利技术被日本住友垄断，故现有
