电流

能量损失拆解：a-Th2Br的E仅为0.194eV，总能量损失低至0.525eV，为目前报道的最低水平之一。结论展望本研究通过中心核扭曲构型受体设计，成功实现了20.60%的高效率与0.194eV的低非辐射损失，突破了有机太阳能电池中“高发光必低迁移”的传统困境。

本次展会，莱姆电子中国区总经理陈铂先生受PCIMAisa主办方邀请正式加入PCIMAsiaShanghai研讨会顾问团，并出席了研讨会开幕式，研讨会欢迎晚宴，研讨会feedbackmeeting等系列活动。未来，莱姆电子将继续秉持品牌理念，不忘初心，勇于探索，以高品质产品、本地化创新服务，携手行业伙伴共同推动行业可持续发展与升级。

硅异质结太阳能电池凭借纳米级本征a-Si:H层的表面钝化与电荷抽取双重特性，可实现超700mV的高开路电压，但前端ITO（透明导电氧化物）、本征a-Si:H（i层）和掺杂a-Si:H（p层）的寄生吸收会导致短路电流密度损失，部分抵消Voc带来的优势。 

近年来，短波红外有机光电探测器因其柔性可加工、波段可调等优势，在生物医学监测与高速光通信领域展现出巨大应用潜力。该研究通过分子设计与器件工艺协同优化，成功构建出具有超低暗电流与超高探测率的短波红外有机光电探测器，不仅在微秒级快速响应和宽带宽性能上表现卓越，还在无袖带血压监测与实时光通信等应用中展现出优异的稳定性与实用性。

离子迁移是阻碍金属卤化物钙钛矿X射线探测器性能与稳定性的普遍问题。所制备的FAPb.Sn.I单晶显示出高达0.95eV的离子迁移活化能，明显高于铅基钙钛矿晶体。本研究首次报道了基于Pb-Sn单晶的X射线探测器，展示了其在抑制离子迁移和暗电流方面的潜力，有望推动稳定、低剂量X射线检测的发展。高离子迁移活化能与低暗电流：FAPb.Sn.I单晶的离子迁移活化能高达0.95eV，暗电流密度低至0.75nAcm，电流漂移极小，优于铅基钙钛矿探测器。