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光学膜
Pb 结合，减少陷阱态，抑制复合(非辐射复合损失 ΔVocⁿᵒⁿʳᵃᵈ降至 42.6 mV)。电荷传输：优化能级匹配，提升载流子迁移率，延长激子寿命(CY 掺入膜为 22±2 ns，对照为 13±1
%(对照损失～69%)。原因：CY 使钙钛矿膜接触角增至 73.3°(对照 24.2°)，增强疏水性，抑制水分侵蚀。6. 结论局域相位调制异质结构通过 CY 的大量掺入，实现了 PSCs 的高效率(26.0
同时，将光学带隙降低到1.27 eV。瞬态吸收光谱证实了从P2 EH-1V到施主PM
6的有效空穴转移。基于P2 EH-1V的器件显示出0.20
eV的降低的非辐射电压损耗，而不影响电荷产生
：设计并合成了新型不对称非富勒烯受体P2EH-1V，具有单侧共轭π桥，降低光学带隙至1.27 eV。效率提升：基于P2EH-1V的钙钛矿-有机叠层太阳能电池实现了27.5%的效率。稳定性增强：优化后的
)原生CsPbI3 PQDs和经SnI4处理的CsPbI3
PQDs的温度依赖性PL强度积分及其Eb拟合曲线(相应的温度依赖性PL光谱已插入)。g)光学性质(τ，Eb，PLQY)的总结。h)有无
SnI4的CsPbI3
PQD薄膜的能量级图。图4.
基于氨基化延迟合成的PQD组装薄膜的形态、光学和电子特性。a)未添加和添加SnI4的AFM图像中标记线的高度。b)添加和未添加SnI4的
顺畅地传输，有效提升电池的填充因子至85%以上。新材料的混合钝化边缘技术针对电池边缘的复合损失问题进行了攻克，通过独有的有机/无机混合钝化新材料，降低边缘复合损失，提升整体电池效率。新原理的叠层膜耦和
技术通过去除电池正面主栅结构，大幅降低银浆用量，同时减少光学遮挡，显著提升发电效率。同时他指出，0BB技术的研发也面临着多重技术壁垒，需在高温焊接、极端温变循环及长期户外老化等严苛环境下，确保电池互联
示意图(右)。b，完全由光图案化二维材料构成的场效应晶体管(FET)阵列和逻辑门器件的实物照片，制备于一片2英寸硅晶圆上。c，通过直接光图案化工艺制备的二维范德华图案的光学显微镜图像。图案化工艺的
反应，形成稳定的交联网络。通过将二维材料进行旋涂处理，再通过掩膜进行紫外曝光，未被照射的区域在超声清洗下被去除，从而实现无需任何光刻胶或显影剂的图案化过程。这一过程不仅大幅减少了化学残留物，还避免了对
发布的Tiger Neo
3.0系列组件产品，采用了晶科新一代N型TOPCon技术，并融合了20BB无主栅结构、HCP边缘钝化技术、MAX材料系统等多项关键工艺。这一技术组合使得组件在电学和光学
BC无主栅电池覆膜工艺达成零翘曲完美效果，引发专业观众层层围观，稳居展馆"技术C位"。此次首发标志着小牛IFC技术取得里程碑式跨越：从TOPCon、HJT领域向BC技术的成功延伸。通过独创的低温
戴设备、建筑一体化光伏(BIPV)等创新应用铺平道路。光学可调：通过调整化学成分(A、B、X位离子)，带隙可在较宽范围内精细调控，特别适合与硅电池组成叠层电池(Tandem)互补光谱吸收钙钛矿太阳能电池
更好刮涂法：适合大面积制备，通过调节涂布速度和干燥条件控制膜厚狭缝涂布：适用于卷对卷工艺，需精确控制流体动力学喷涂法：适合柔性器件，需优化液滴大小和均匀性2. 干法工艺共蒸发法：同时蒸发金属卤化物和
测试(纳米压痕，ND)后的断裂行为。b)
不同PIL-PDES含量的PNDIT-F3N薄膜在50%应变下的光学显微镜(OM)图像。c) 不同PIL-PDES含量(PNDIT-F3N:PIL-PDES
)基底，其溶液制备和退火过程与小面积光伏器件一致。可拉伸模组使用沉积的聚对二甲苯膜作为基底，并采用PH1000作为透明电极，其余制备过程与柔性模块相同。激光刻蚀具体如下：1. P1(200 mm/s
了《背接触光伏组件焊丝遮蔽膜》标准提案，通过规范遮蔽膜材料、厚度、光学特性等关键指标，建立产品标准，确保遮蔽膜在组件工作中充分发挥保护作用，提升产品质量，加速背接触组件技术的规模化应用。同时，针对
。(A)在使用CS2的溶剂蒸气退火77小时之后，不具有或具有CV的N3、L8-BO和N3：L8-BO膜的光学显微镜图像J3和L
8-BO的摩尔比为15：1，并且CV以与总NFA的1：1摩尔比添加。(B
)，这是目前大面积OPV模块中最高的效率之一。研究内容：研究团队开发了香芹酮(CV)作为介电添加剂，通过与L8-BO形成非共价复合物(L8-BO-CV)，改善了D18:N3:L8-BO混合膜的形态
