p型硅片
、日本、美国、中国，最早的光伏电站几乎都是单晶，单晶电站经受住了30多年的历史考验，有的电站年均衰减只有千分之四左右。另一方面，P型单晶由于硼氧复合体的原因，头2-3个月出现光致衰减现象，在之后的9-10
超过1.5%，好的情况下可控制在1%以内，而组件全面积转换效率高达18.35%，60型功率达到300W。Hi-MO1的诞生，意味着单晶组件作为高端产品的性能再度提升，一贯坚持越高效、越经济产业发展理念的
能量产技术能有效提升N型及P型高效电池产能及质量，在市场上拥有高市占的肯定；以高精度着称的网印设备商ASMAE所提供的丝网印刷机可完全模块化及可配置太阳能电池丝网印刷生产线，带来最佳的工艺和高质量
。
光伏各家厂商一直以来皆积极投入新技术研发以提升太阳能电池的光电转换率，希望能及早降低发电成本并提升普及率。奇元裕公司积极网罗全球光伏前沿技术设备以协助客户完成新技术之研发，提供N型单晶、PERC与抗光
5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷
发射极的优势越来越小，个别选择性发射极技术如硅墨技术、激光选择性发射极逐渐被淘汰出局。 对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型
出局。对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷，能够起到良好的场钝化效果，使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜，一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高，能够提供较强的场钝化能力；另一方面，在高温烧结过程中，AlOx与P型硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层
没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P(positive)型半导体。 同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N(negative)型半导体。黄色
。 2实验设计 本次试验使用的多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m。图1为多晶黑硅太阳能电池的生产流程。首先在80℃浓度10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用
索比光伏网讯:奈米电子研究中心imec与硅片、太阳能电池研究单位CrystalSolar合作，发表了转换效率22.5%的nPERT电池。Crystal Solar致力于研究Direct Gasto
Wafer技术，即透过高吞吐量的磊晶成长技术（epitaxial growth，又称外延生长）直接从原料气体制成单晶硅片，省去制作多晶硅、铸锭、外延片切割的步骤。此技术所生产的硅片被称为
公司Crystal Solar 开发的n型晶片。位于硅谷的Crystal Solar 的Direct Gas to Wafer技术可生产6寸大小、160至180微米厚的单晶硅片，在结晶过程中会有一个
kerfless晶圆光伏电池技术继续大步前进，比利时研究机构IMEC与Crystal Solar之间进行合作，使用gas-to-wafer kerfless生产工艺，n型PERT电池效率达到22.5
60-cell光伏模块可以从效率提升中额外获得6W的电力产出。 2015年，多晶硅产品在晶硅光伏市场中的市场份额为18%，预计这一比例将在2018年提高至25%，其中传统型电池占4%、P型PERC电池占10%，N型超高效率电池占11%。
