p型硅片

竞争力，需要异质结材料、设备、制造、应用、金融以及检测认证等全行业的带动，发动全产业链应集聚力量共同突破，推动异质结电池量产技术发展。 锦州阳光能源专注N/P型单晶产品制作，1998年开始从事二极管级
单晶生产，2000年至今N型单晶硅棒、单晶硅片不断提供到台湾、日本、欧美等地区，并获得了客户认可，建立长期合作关系。锦州阳光获得国家专利150余项。行业内大尺寸单晶硅片M3的开创者和定义者、是国内首家

21%，因此实际上中环的叠瓦组件P型会在610W左右，N型甚至能接近650W。 所以在尺寸之战中，玩家们应警惕是否会一点点的增大沉没成本。 另外，中环的竞争中的闲笔也让人防不胜防，从多个维度打超限战

大势所趋 一直以来，光伏行业的硅片都是掺硼的P型硅片，这是因为硼在硅中的分凝系数最接近1，最容易获得电阻率一直的P型硅片，但是这也带来一系列的问题，如硅中的硼氧复合体导致太阳能电池效率衰减很大。2017

隆基股份的推动下，高效单晶技术成为主流，金刚线切片技术被广泛应用并每年为行业节省超300亿元，P型单晶PERC与双面发电等技术在全球快速普及。随着光伏发电产业迅猛发展，隆基股份单晶硅片占全球市场份额近50

%。这也再次让行业企业意识到如果想要寻求更大的市场机会，通过技术升级实现降本增效是发展的必然之路。 在电池新产能投放上，光伏公司只能投PERC+，TOPCon，异质结等新技术，光伏技术路线从P型向N型

高于P型硅片15%-20%，而根据调研我们认为价差大主要因为供需导致，生产工艺和流程不存在明显阻碍，若规模化生产我们认为N型硅片和P型硅片价差可收窄至5%-10%，进一步降低HJT生产成本，提升产品竞争力

HJT电池与传统电池相比具有工艺相对简单、无PID现象、低温制造工艺、高效率(P型单晶硅电池高1-2%)、高稳定性、可向薄型化发展等优点，成为未来高效电池的发展方向，国内企业持续发力 HJT 电池

层。这样在后续就只需要经过高温将杂质源扩散到硅片内部即可，从而节省一步高温过程。另外，也可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层，掩蔽层上的硼经扩散后进入N型衬底形成P+区，而未印刷掩膜层的区域，经

，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。 太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池，靶材主要应用于薄膜太阳能电池的背电极环节以及HIT(异质结)电池的导体层。晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型
太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域，而HIT作为PERC(钝化发射极及背局域接触电池)未来的替代技术，有望实现

异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发： 硅片薄化 N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构