n型硅料

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单晶硅冲击波:发电量提升6% 引来投资加速来源:21世纪经济报道 发布时间:2014-08-05 08:20:24

以上组件产能;    另外,OCI持股70%的单晶电池厂商MissionSolar计划扩产,全球最大的硅片供应商GCL也宣布提高产品中N单晶硅片占比;    事实表明,国际市场对
,目前主流切割厚度为19010 微米,随着电池技术的改进,更薄的硅片将成为主流趋势。    单晶硅棒因其晶格有序的特性,可以实现金刚线的规模应用,促进硅片薄片化,对应每瓦硅片的硅料耗量将更低

【单晶多晶之争】单晶硅今年有望逆袭来源: 发布时间:2014-08-05 08:16:59

以上组件产能;另外,OCI持股70%的单晶电池厂商MissionSolar计划扩产,全球最大的硅片供应商GCL也宣布提高产品中N单晶硅片占比;事实表明,国际市场对高性价比的单晶产品的热情远胜国内
瓦硅片的硅料耗量将更低。据悉,现在的单瓦硅消耗量4.3克左右,未来耗硅量将更低。中银国际预计,再加上非硅成本的改进,未来单晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片,从而两者之间的价差亦进一步缩短。此外,从

盘点高效太阳能电池转换效率之最:晶硅电池谁称王?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2014-07-22 10:59:07

构造是运用P型与N半导体接合而成的。对其而言,最重要的参数是光电转换效率。在单晶电池中,目前所研发的N单晶电池的产业化水平大概在21%-24%左右,P型单晶电池的国内产业化水平在18.7

光伏热点:多晶硅市场将死?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2014-07-03 08:57:46

差(2013年数据)。   目前,量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%;N单晶电池的产业化效率水平是21%-24%;国内P型单晶电池产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2

光伏行业热点观察:多晶硅市场将死?来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2014-07-02 23:59:59

据)。目前,量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%;N单晶电池的产业化效率水平是21%-24%;国内P型单晶电池产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2%-20%。以成本计

光伏企业一季度财报汇总来源:Shine Magazine/光能杂志 发布时间:2014-06-25 09:23:25

N高效光伏硅片规模化生产转换效率仍可达22%-24%。得益于高效光伏硅片在转换率上的优势,特别是海外投建光伏电站对高效、发电量要求的严苛,中环股份高效光伏硅片的出口仍将保持良好势头
,主要银行账户被冻结。目前,公司的流动性困难并未得到缓解,大量的逾期银行贷款,主要银行账户及资产被冻结等情况并未好转。 硅料/硅片企业: 保利协鑫首季多晶硅销量增9% 均价升30% 保利协鑫

政策力挺 分布式光伏全面提速 荐12股来源: 发布时间:2014-06-17 10:52:59

带来的可变成本及度电成本的下降有望提高其渗透率,预计2015年高效电池市场占有率有望达到37%。N片盈利能力强,出货比例提高改善公司业绩。公司普通的硅片的毛利率为5-10%,高于行业平均水平,N

中国成全球第一光伏市场 多晶硅市场价格涨势凶猛来源:证券时报网 发布时间:2014-06-09 14:25:53

数据是否公布,没有比股东货真价实拿出来投资更有力的证明。   维持强烈推荐评级:在光伏技术路线的选择上,高转换效率产品是最具潜力的降发电成本方向之一,单晶产品将会长期走强,N单晶硅片将逐渐
成为单晶主流。而具备更高转换效率,更优衰减性能的CFZn型单晶硅有望成为高效n单晶的制高点。公司的CFZ技术和SunPower公司的低倍聚光系统可以实现完美的技术互补。我们看好在能源科技革命爆发的前夜

中国成为全球第一大光伏市场 6股值得关注(名单)来源: 发布时间:2014-06-09 10:24:59

公布,没有比股东货真价实拿出来投资更有力的证明。维持强烈推荐评级:在光伏技术路线的选择上,高转换效率产品是最具潜力的降发电成本方向之一,单晶产品将会长期走强,N单晶硅片将逐渐成为单晶主流。而具备更高
转换效率,更优衰减性能的CFZn型单晶硅有望成为高效n单晶的制高点。公司的CFZ技术和SunPower公司的低倍聚光系统可以实现完美的技术互补。我们看好在能源科技革命爆发的前夜,双方合作提供的具备与

HBI创新型钝化炉解决PID 并显著提升转换效率来源:Solarzoom 发布时间:2014-05-29 09:06:19

纯国产化全自动高效率组件生产线,产品远销东南亚等地。HBI近几年持续向行业推出了全自动组件焊接设备、全自动光伏组件生产线、全自动高温扩散氧化炉、PECVD镀膜设备、类单晶铸锭炉、硅料精炼提纯系统、炉膛
作用,该方法产生一层SiNx减反射膜,这主要是因为H原子能钝化悬挂键和复合中心,H原子是从等离子体输运到SiNx中,然后再输运到硅表面,另外,SiNx可以作为浅结的保护层,阻止各种杂质在高温中扩散进P-N