n型半导体

日本产业技术综合研究所（产综研）开发出了电池单元对阳光的光电转换效率达到了11.0％的级联式色素增感型太阳能电池。超过了此前的最高性能。这里所说的级联式是一种将两种色素增感型太阳能电池重叠的
形式。此次通过制造高透明度的TiO2电极，并将其使用于上部的电池，从而实现了高效率。 级联式色素增感型太阳能电池与普通的单个单元式太阳能电池相比，可利用波长范围更宽的太阳光。在此次的开发产品中

开发出从正极到负极采用ITO/P3HT:PCBM F/Al结构的太阳能电池。PCBM为n型富勒烯（C612）衍生物，P3HT为p型有机半导体。 美国西北大学此次采用PLD（脉冲激光沉积法）法

。 但是太阳能光伏产业的市场需求主要为政策推动型，而多晶硅原料的供应厂商为欧美日本半导体厂商，他们对于太阳能光伏应用的前景的态度，以及大规模扩产的所需要的时间导致短期内太阳能多晶硅供不应求，价格
的国有科技型企业，是中国有色金属工业重点骨干企业之一，其中，“研究所”是国家242所重点科研院所之一。 峨嵋半导体厂现有员工2000余名，其中高中级专业技术人员600余名。拥有一批我国最早从事

太阳能发电。美国西北大学此前曾开发出从正极到负极采用ITO/P3HT:PCBM F/Al结构的太阳能电池。PCBM为n型富勒烯（C612）衍生物，P3HT为p型有机半导体。 美国西北大学此次采用

pin结构电池，窗口层为掺硼的P型非晶硅，接着沉积一层未掺杂的i层，再沉积一层掺磷的N型非晶硅，并镀电极。 非晶硅电池一般采用PECVD
%以上，甚至达到20%，但因成本高、部分元素有污染等问题，使推广受到限制。多晶硅薄膜电池效率达到15%以上，但由于工艺复杂等，大面积电池尚存在诸多问题。 基于非晶硅及多晶化合物半导体(包括纳米

磷可得N型硅，形成P－N结。当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下

ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件

，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度

关注的焦点。 　　三洋电机此次开发的是在p型半导体中采用DBP（tetraphenyldibenzoperiflanthene）、在n型半导体中采用C60（富勒烯）的有机薄膜太阳能电池。面积

CuPc，n型半导体采用C60。在玻璃底板上依次形成ITO电极、CuPc、C60、LiF以及Al电极，利用干燥剂和玻璃进行封装。 试制中采用了制造簇集（Cluster）型有机EL显示器的装置。“我们发现