n型半导体

？ 高效概念是否会被推广应用？ 硅晶圆的类型是否会简单的从P型多晶转移成P型单晶再到N型单晶，以在未来的2到3年里将转换效率逐渐提升到接近20%的水平？NPD Solarbuzz太阳能设备季度报告为

的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）结构。位于背面的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术

效率。PERC和PER1。电池的另一个特点是其极好的陷光效应。由于硅是间接带隙半导体，对红外的吸收系数很低，一部分红外光可以穿透电池而不被吸收。理想情况下入射光可以在衬底材料内往返穿过4n2次，n为硅的

半导体。如果有硅晶体中掺入能够释放电子的磷、碑或锦等杂质元素，那么它就成了电子型的半导体，简称n型半导体。若把这两种半导体结合在一起，由于电子和空穴的扩散，在交界面处便会形成p-n结，并在结的两边形成

量子点层。此时，会打多个直径约为260nm的垂直孔，这些垂直孔会形成光子结晶，起到将光线封闭起来的共振器作用。 　　然后再进行n型和p型掺杂，形成以共振器部分为i层（本征半导体层）的硅类PIN构造，制成

。风速可以调整，上部的风扇将周围的空气通过冷却管道送到硅片和皮带上，下面的风扇吸走通过皮带周围和硅片底部的空气。烧结要达到的效果1、正面Ag穿过SiNH扩散进硅但不可到达p-n；2、背面Ag、Al扩散进
场可形成良好的欧姆接触，减小串阻烧结温度曲线烧结需要注意的问题1、在设定温度的同时也要考虑到Al的沸点较低，当超过其沸点时，将有Al进入工艺环境。这些会扩散入电池正面的p-n处，对其发生破坏作用。2

商正在重点提升其面板的效率并降低生产成本。例如，在这方面领跑的英利2011年与一家荷兰公司合作推出了熊猫品牌模块，该模块使用N型电池单元，它比传统的P型电池单元运行效率更高。尚德的冥王星系列新产品使用

，相当于p型半导体的共轭高分子，与相当于n型半导体的电子受体分子（低分子化合物）混合，构建成这一混合物的相分离，形成所谓整块异质结相分离的随机结合界面。电介质薄膜可补偿整块异质结薄膜上的整流性，电介质

发明专利和美国发明专利，解决了P型晶硅太阳能电池10小时光照后的光电转换效率衰减，并研究确立了P型晶硅太阳能电池光衰机理；首次发明在晶体生长过程中利用氩气流场实现N型和P型硅单晶棒中心和表皮少子寿命均

界的光衰难题，获得了中国发明专利和美国发明专利，解决了P型晶硅太阳能电池10小时光照后的光电转换效率衰减，并研究确立了P型晶硅太阳能电池光衰机理；首次发明在晶体生长过程中利用氩气流场实现N型和P型