SPC

器和下游检测站的内嵌设备。 PVP1200便于设置和使用，菜单式软件通过全彩TFT-LCD触摸屏进行复杂工艺的直观控制。其他管理和通讯设施包括板上统计式过程控制(SPC)软件、综合10/100

供应商保证，还能够执行带预警的周期和队列管理、质量管理、电子看板，以及处理与SPC完全整合的、即时制定的、产品特定的关键绩效指标（KPI）。卡斯达亚太区高科技行业总监胡凯翔先生在太阳能光伏工业论坛上发表

，还能够执行带预警的周期和队列管理、质量管理、电子看板，以及处理与SPC完全整合的、即时制定的、产品特定的关键绩效指标（KPI）。卡斯达亚太区高科技行业总监胡凯翔先生在太阳能光伏工业论坛上发表

的相变能量，使用镍金属诱导a-Si薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有长晶粒和连续晶界的特征，晶界势垒高度低于SPC多晶硅的晶界势垒高度，因此，MILC TFT

，载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。 固相晶化(SPC
，晶粒尺寸越大。由于在结晶过程中晶核的形成是自发的，因此，SPC多晶硅薄膜晶粒的晶面取向是随机的。相邻晶粒晶面取向不同将形成较高的势垒，需要进行氢化处理来提高SPC多晶硅的性能。这种技术的优点是能制备

电压为0.48V，FF为0．53，=6.52％。 4．1．6固相结晶法（SPC） 开始材料a-Si用SiH，或Si2H，辉光放电沉积在平面或绒面衬底上，沉积时加A PH3，形成p。掺杂层
退火，使a-Si层进行固相结晶，形成多晶硅。 用Raman光谱研究未掺杂a-Si结构和多晶硅膜关系，经Secco腐蚀显露出晶界，用扫描电镜测量晶粒尺寸和密度。 用上述SPC法制备的

Chemical Vapor Deposition)沉積後，再以高於900℃的退火形成，此方法即為SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此種方法卻不適用於平面顯示器製造產業
: Metal Induced Crystallization (MIC)：屬於SPC 方法之一。然相較於傳統的SPC，此方法能在較低溫下（約500~600℃）製造出多晶矽。這是因為一薄層金屬在結晶前即先形成在矽