SE

发射极（SE）等新兴电池架构的高效率工艺提供解决方案，以及其他应用例如LED和印刷型电子产品得可的知识基础能够为促进这些领域的高产量和高精度运行。 得可在太阳能市场拥有悠久的工艺

下维持最佳工艺控制所有都是实时的以最大化产量并且动态提高良率。在NEPCON中国展上还将连线Horizon APiX与CyberOptics SE500 Ultra焊膏检测（SPI）系统现场演示

型价补后的Si(100)表面上淀积低功函数金属就能实现低肖特基势垒。我们在有Al 的Se钝化n型Si(100)表面上展示了创纪录低的肖特基势垒。实验是在低剂量1015cm-3Sb掺杂n型Si(100
)硅片上进行的。钝化后，在硅片上用电子束蒸发和剥离(lift-off)工艺制作直径200m的Al圆点。重要的是，钝化后的溅射工艺要缓和，因为溅射淀积能破坏钝化层。图2说明确定Se钝化n型Si(100

太阳能电池是一种以Cu( 铜 )、In(铟)、Se(硒)为主要原料的薄膜太阳能电池，其主要特征为成本不受矽价格变动，且在阴天或面板上有部份阴影时仍可进行发电。

较大等因素，包括选择发射极(SE)、钝化发射极背面电池(PERC)和金属穿孔卷绕电池(MWT)在内的新型高效电池技术还没能广泛取代改良金属浆料细栅线印刷技术大规模应用。大部分一线电池、组件制造商都在与

控制原材料采购成本和精益生产，保证制造成本低于售价。至于技术的提升，受制于转换效率提高幅度有限和产业化生产成本增加较大等因素，包括选择发射极(SE)、钝化发射极背面电池(PERC)和金属穿孔卷绕电池

，包括选择发射极（SE）、钝化发射极背面电池（PERC）和金属穿孔卷绕电池（MWT）在内的新型高效电池技术还没能广泛取代改良金属浆料细栅线印刷技术大规模应用。大部分一线电池、组件制造商都在与领先的材料

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引起了人们的注目。 CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜、铟和硒，硒化法是使用H2Se叠层膜硒化，但该法难以得到组成均匀的CIS。CIS薄膜电池从80年代