SE

有严重的污染问题。采用后硒化技术制备CIGS薄膜，一般使用剧毒气体硒化氢（H2Se），由于有废气处理装置，最终排放应该没有问题。另外，大部分CIGS电池里有一过渡层硫化镉（CdS）约50纳米，由湿法

技术有新型电极（栅线）材料、叠层丝印技术、喷墨印刷技术、电镀技术等。 选择性发射极（SE）电池技术。主要目的是减少金属接触表面的少数载流子复合率。相关的技术主要次扩散SE电池结构，Etch
Back SE电池结构，激光扩散SE电池结构，硅墨SE电池结构等。此外，还有丝印磷浆法、InkJet Doping等。 离子注入发射极电池技术。是为了减少热扩散带来的表面复合损失，提高结的均匀性

，而成本却下降了30%。正面金属化技术，主要是减少栅线的遮光面积，同时又不影响栅线的电阻。相关的技术有新型电极（栅线）材料、叠层丝印技术、喷墨印刷技术、电镀技术等。选择性发射极（SE）电池技术。主要目
的是减少金属接触表面的少数载流子复合率。相关的技术主要次扩散SE电池结构，Etch Back SE电池结构，激光扩散SE电池结构，硅墨SE电池结构等。此外，还有丝印磷浆法、InkJet Doping等

宜昌南玻硅材料有限公司自主开发的高效多晶硅片，确保了硅片质量的一致性和可靠性，并通过集团内合作研发解决了因硅片导致的组件光致衰减难题。 　　二、太阳电池工艺为常规生产工艺，在未采用两次印刷、SE

。 E.ON SE.技术和创新高级副总裁Urban Keussen表示：E.ON已经测试了QBotix的RTS超过一年，并且评估该系统能够比固定倾角和单轴跟踪系统产生更多能源。E.ON从事为我们在几个国家

方式，熔解GaAs基板与光伏电池之间的AlInP层，使GaAs基板容易剥离。另一方面，在形成了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液

了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液。厚度只有10nm。最后，把表面实施了凹凸加工的硅树脂PDMS（二甲基聚硅氧烷）按压在GaAs基板

2mm的球形透镜，通过两个透镜的共同作用来实现1000倍的聚光。 另一方面，在形成了pn结的Ge基板上沉积GaAs层并使其图案化。然后利用旋涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液

涂法，在其表面涂抹起到浆糊作用的As2Se3溶液。厚度只有10nm。最后，把表面实施了凹凸加工的硅树脂PDMS（二甲基聚硅氧烷）按压在GaAs基板上，将其表面的三结元件转印至PDMS，再通过压接至

之一Hseyin K?SE是中电光伏的长期合作伙伴。Hseyin K?SE表示，选择与中电光伏在土耳其合作，是基于他们在希腊和保加利亚的长期经验，那里安装了超过6MW的CSUN组件。 中电光伏