PERT技术
、PERL、PERT、HBC等技术，基本都是单晶技术路线。 尤其是PERC技术，仅需增加两道工艺,技改成本低,效率提升显著，将在未来3-5年占据市场主要份额。由于多晶PERC需搭配黑硅技术才能达到最佳
、PERT 等电池新技术的引入，N 型单晶电池的效率优势愈加显著。随着市场对效率和品质的要求越来越高，N 型单晶电池必然成为未来技术发展趋势。据 2014 版的国际光伏技术路线图（ITRPV）预测， N 型单晶电池在单晶电池的份额将从 2014 年的 18%左右提高至 2020 年的50%左右。
TSEC等。 而协鑫集成看中的另一电池路线N型单晶双面技术，也将让其在渔光互补、高纬度等地区直接获得优势。N型技术分为N-PERT、N-PERL和HIT、IBC等类型。前两者都有双面N型电池。PERT电池
电池路线N型单晶双面技术，也将让其在渔光互补、高纬度等地区直接获得优势。N型技术分为N-PERT、N-PERL和HIT、IBC等类型。前两者都有双面N型电池。PERT电池的全称有点拗口，英文是
看中的另一电池路线N型单晶双面技术，也将让其在渔光互补、高纬度等地区直接获得优势。N型技术分为N-PERT、N-PERL和HIT、IBC等类型。前两者都有双面N型电池。PERT电池的全称有点拗口，英文是
保持竞争力和市场份额，需要进一步提升转换效率与降低成本。业界研发并工业化了PERT和PERL等衍生技术，并致力于解决PERC电池光致衰减（LID）问题。据介绍，第二届PERC太阳电池技术与市场研讨会
的加速拓展奠定了坚实基础；在光伏制造领域，该公司高效产品N型PERT单晶组件转化率创下同类产品行业新高，有效树立了航天光伏产品的品牌与技术影响力。业内人士分析，此次增资两个光伏项目公司是为了加快其开发建设，尽早完成投入运营，并有利于其完成转让收购资金并获得收益。
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
(metal Wrap Through)电池，它通过激光穿孔和灌孔印刷技术将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
，还是渐进式减反射膜，对反射率的降低并不是十分显着。
(2)减小正面电极遮光损失：新型正面电极结构例如MWT(metalWrapThrough)电池，它通过激光穿孔和灌孔印刷技术将正面发射极的接触
（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
反射率的降低并不是十分显著。（2）减小正面电极遮光损失：新型正面电极结构例如MWT（metalWrapThrough）电池，它通过激光穿孔和灌孔印刷技术将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面
