PECVD

TOPCon光伏电池背钝化镀膜设备的优缺点进行深入分析，晟成光伏决定采用PECVD镀膜与低损伤PVD镀膜相结合的技术方式来制备TOPCon电池的背面隧穿二氧化硅膜层和掺杂非晶(碳化)硅膜层。该技术方式可以有效
减少甚至避免目前行业内LPCVD设备出现的绕镀问题，以及管式PECVD容易出现的爆膜、石墨舟寿命低及量产不稳定的问题，同时又可以进一步规避采用大尺寸线性离子源依赖进口、造价昂贵和膜层均匀性较差的问题

丝网印刷技术仍将是主流技术。随着栅线宽度变窄的需求增加，也会出现新的电池片栅线制备技术。 7、PERC 电池背钝化技术市场占比 PERC 电池背面钝化技术主要有 PECVD AlOx+SiNx
和 ALD AlOx+SiNx 等方法。其中 PECVD沉积技术 2021 年市场占比在 55.4%左右;ALD 沉积技术有更精确的层厚控制和更好的钝化效果，2021 年市场占比约 41.4%。除

电池，增加了硼扩散工艺，然后背面制备SiO/Poly-Si钝化接触结构。目前有三种方法制备钝化接触，最常用的是LPCVD沉积非掺杂的多晶硅，然后通过磷扩散对多晶硅进行掺杂，最后通过PECVD技术在前
后表面制备钝化层和减反膜，以及丝网印刷制备电极结构。设备方面，TOPCon相比PERC核心增加了硼扩炉(进行硼扩散)、LPCVD或PECVD(SiO+多晶硅)设备，同时去除了前道SE、后道开槽两道激光

，购置制绒机、丝网印刷、PECVD、CVD、清洗机等设备200多台套，年产值约100亿元。 在开工仪式上，要求全区上下要以此次开工活动为契机，牢固树立以项目论英雄、以发展论能力、以落地看作风的鲜明

;PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺;PVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺其中 LPCVD 技术工艺成熟且已实现量产，并且设备国产化完善，但绕镀、成膜速度慢等仍为目前工艺主要问题。 LPCVD

LPCVD+磷扩;或者PECVD原位掺杂技术路线。近两年新建大尺寸PERC 产线，一般预留TOPCon空间，可采用PECVD/PVD原位掺杂技术路线。 据一道新能介绍，目前TOPCon电池工艺的难点

近期，国家能源局正式发布公告，公示了《2021年度能源领域首台(套)重大技术装备(项目)名单》，苏州迈为科技股份有限公司的HJT2.0异质结电池PECVD量产设备荣列其中，是该年度唯一进入此名单的
了大产能、连续镀膜PECVD设备、PVD设备等，实现了异质结高效太阳能电池生产线的国产化，并且达成了异质结整线设备的首次出口。今后，迈为将继续以自主研发与技术创新不断推动异质结高效电池制造整体解决方案的升级与迭代，助力全球异质结产业快速、健康地发展。

很高，在PERC产线上新增多晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备和硼扩散设备就可升级为TOPCon产线，改造成本并不高。由此带来的直接结果就是，TOPCon电池、组件更具成本优势，更容易被电站业主接受

部门共同主持了激动人心的金刚玻璃210半片异质结微晶电池海外订单首批交货仪式。 PECVD整线设备 金刚玻璃210异质结微晶电池生产线自2022年2月份整线连线运转以来，调试试产成绩不断