P型

，其次为中广核、晶科。 关键点1：全部单晶，P型双面双玻成主流，N型追赶 由于在中国领跑者基地中的重要位置，国家电投对组件的技术类别选型走向有着关键的作用。近日，国家电投公布了将用于海兴、寿阳、大同

衰减的主要因素，并对如何减小或避免光衰减的改善措施进行了分析。 晶体硅太阳电池是最重要的光伏器件，近年来一直是硅材料研究界和光伏产业界的重点关注领域。众所周知，常规的晶体硅太阳电池都是基于P型掺硼硅
晶体硅太阳电池材料和器件方向的研究热点之一。本文着重阐述了现有的P型晶体硅太阳电池光衰减的机理与抑制(或消除)光衰减的措施。 1 衰减机理 Fischer和Pschunder在1973年发现了掺

常规P型多晶组件的电站相比，月度增益率最高达19.02%。 英利绿色能源副总经理于波在接受光伏們采访时介绍，目前这些所谓的高效技术都不是新技术，英利在2009年就已经开始针对包括N型、单晶PERC

。鉴于N型电池成本持续的居高不下，P型电池成为行业普遍的选择。然而，与传统的意义上的理解转换率要超过25%就只能选择N型电池不同，TOPCon就提供了一条P型硅、26%及以上转换率之路。 TOPCon

自愈。电容器不断自愈的结果是，电容器电容值不断下降，当超过初始容值的5%时，电容器容值不再满足要求，发生退化失效。除了退化型失效外，电容器还可能被击穿(对外呈短路状态)该失效模式是突发型的，这种突发
积累加起来，即可得到部件、系统的故障率。 式中： p 某类元器件预计的工作故障率 b 该类元器件的通用故障率(需查表) q 该类元器件的质量等级系数(需查表) t该类元器件的温度应力

，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区

的条件 这个问题说起来又有一点复杂了!太阳能电池组件，有内电阻和外电阻之分。当某一刻内电阻和外电阻相等时，此刻电池组件就工作在最大功率点了。 P=UI=IR=R=ER/(R+r)] =E
：恒电压跟踪法(Constant Voltage Tracking 简称CVT)、干扰观察法(Perturbation And Observation method简称P&O)、增量电导法

型SVC:TCR+FC型静止无功补偿器(SVC),以高压晶闸管阀组控制电抗器支路的感性无功输出,与容性FC支路并联于系统的接入点,实现自超前至滞后无功的连续输出。近年来,这种并联补偿装置在电力、冶金
组串式逆变器在分布式电站的应用出现的问题 笔者做过一个纺织厂的屋顶光伏系统，该纺织厂安装使用500多台变频器，变频器主电路均为6脉三相桥的交一直一交结构，为电压型工作方式，采用V/F控制。由变频器网侧

%， 已接近19%的理论值， 而目前主流 P型单晶电池转换效率为 19%-19.5%，距离 22%的理论转换效率还有较大提升空间，主流 N型单晶电池的低成本产业化空间潜力更大。此外，2015 年以来

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
发电成本的主要途径。 目前，国内外对于电池的隐裂、断栅、裂片等失效分析进行过深入的研究，然而对于黑斑片却鲜有报道。在p型晶硅电池的大规模生产中，电池的检验常用电致发光(EL)检测仪，根据硅材料的