P型单晶硅

，是以光照射侧的 p-i 型a-Si: H膜( 膜厚 5 ～ 10nm) 和背面侧的 i-n 型 a-Si: H膜( 膜厚 5 ～ 10nm) 夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成

现象，预期后续价格将持续稳定上涨。台湾硅片则受到中国二线厂商以较低价格销售的挑战，预期十月报价也将持稳在US$0.82~0.825/pc区间。P型单晶硅片在今年的需求已大抵固定，在厂商不愿有太多库存

全款提货的现象，预期后续价格将持续稳定上涨。台湾硅片则受到中国二线厂商以较低价格销售的挑战，预期十月报价也将持稳在US$0.82~0.825/pc区间。P型单晶硅片在今年的需求已大抵固定，在厂商不愿有

最大的瓶颈。综合以上，一线厂商在规划产能扩充时，PERC产能将占据一定比例，尤其是大厂的导入，将把2018年时的PERC全球产能推升到电池总产能约30%。EnergyTrend预期在P型电池片因PERC
三个国家今年就占了全球6成以上的需求。然而，同样受限于补助减少，日本及美国的地位可能在两年后被取代。过去优渥的补贴政策让不少国家大举安装大型地面电站，在大型电站安装潮退去后，商用屋顶型、住宅型的

扩散更加均匀。在硅片端，可以降低硅片掺杂浓度，提高硅片电阻率，使电池片PN结空间电荷耗尽区宽度增加；提高硅片掺杂均匀性，改善电阻率分布。 二、降低光致衰减（LID） 掺硼P型晶硅太阳能电池经过光照
均有相关。但电池片中的硼是引起电池片衰减的主要因素。研究表明，当硅中的硼含量从80ppbm降低至10ppbm后，硅片的光致衰减从1.35%降低至0.58%。而我们如果通过使用镓代替硼作为掺杂剂制备P型

光伏技术的创新和研发，目前已成为全球光伏核心技术的领导者。晶澳核心技术领先同行6至12个月，目前量产的P型常规单晶、P型常规多晶、PERC单晶以及RIE多晶四个品类电池和组件均保持在业内最高转换效率

，一线厂商在规划产能扩充时，PERC产能将占据一定比例，尤其是大厂的导入，将把2018年时的PERC全球产能推升到电池总产能约30%。EnergyTrend预期在P型电池片因PERC技术仍将在近2~3
占了全球6成以上的需求。然而，同样受限于补助减少，日本及美国的地位可能在两年后被取代。过去优渥的补贴政策让不少国家大举安装大型地面电站，在大型电站安装潮退去后，商用屋顶型、住宅型的市场需求是否能稳定

总产能约30%。EnergyTrend预期在P型电池片因PERC技术仍将在近2~3年持续主宰太阳能市场，PERC的风行也将递延使下一代的N-type技术比重提升的时间，近年无论是IBC或是HIT等高
占了全球6成以上的需求。然而，同样受限于补助减少，日本及美国的地位可能在两年后被取代。过去优渥的补贴政策让不少国家大举安装大型地面电站，在大型电站安装潮退去后，商用屋顶型、住宅型的市场需求是否能稳定

能约30%。EnergyTrend预期在P型电池片因PERC技术仍将在近2~3年持续主宰太阳能市场，PERC的风行也将递延使下一代的N-type技术比重提升的时间，近年无论是IBC或是HIT等高效技术
三个国家今年就占了全球6成以上的需求。然而，同样受限于补助减少，日本及美国的地位可能在两年后被取代。过去优渥的补贴政策让不少国家大举安装大型地面电站，在大型电站安装潮退去后，商用屋顶型、住宅型的

根基，始终致力于光伏技术的创新和研发，目前已成为全球光伏核心技术的领导者。晶澳核心技术领先同行6至12个月，目前量产的P型常规单晶、P型常规多晶、PERC 单晶以及 RIE 多晶四个品类电池和组件均