(ULVAC)薄膜设备的转换效率是7%,采用多层技术的设备的转换效率为9%,这两种设备的市场反应都非常好。”砂贺芳雄在接受《中国电子报》记者采访时说。
三洋在此次展会中展出了HIT硅材料太阳能电池
板,2007年HIT太阳能电池的转换效率实验室数据达到22.3%,实际量产的转换效率也可达到20%以上。三洋电机株式会社公关经理牧野久美子介绍说,三洋2008年开始薄膜太阳能电池的研究,现在对硅材料
、Linde、KD solar、centrotherm、Conergy、Advanced Energy、Edwards、G&N、SunTechnics、Aripronducts、Ul认证、TUV认证等来自
%以上)。同期举办的亚洲光伏工业论坛、太阳能光伏项目推广会、硅材料供需洽谈会、UL美华认证专题讲座等活动参与人员达1500人次以上。展会专业性、国际性及良好的服务赢得了展商和采购商的好评,并得到了行业机构
目前生产的多晶硅产品质量基本上能满足集成电路及功率器件发展的技术要求,用户可不经腐蚀、清洗直接装炉。多晶硅质量指标好,产品稳定,多晶硅N型电阻率都在1000Ωcm以上。表7、表8、表9为几家
表1: 从上表可以看出,非晶硅太阳能电池虽然在转换效率方面略逊于晶体硅太阳能电池,但制造成本低廉、能耗小是晶体硅太阳能电池不能比的。 非晶硅太阳能电池特点是节省硅材料,厚约1μm的
是光伏太阳能电池用硅晶体和化合物半导体材料;其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者,太阳能电池用单晶重点解决大直径高寿命N型中阻单晶,寿命达毫秒量级,直径8英寸;现普遍
硅基材料技术并实现产业化,无疑对促进硅基材料制造业的整体发展,掌握核心知识产权,根本改变产业的竞争格局有着积极的意义。
上海合晶硅材料有限公司高工叶祖超在接受《中国电子报》记者采访时表示,企业要
。 是什么原因促使太阳能多晶硅价格表现如此强劲? 供需矛盾是所有商品价格上涨的最根本原因。多晶硅材料的大规模商业应用始于下游半导体工业。此后,半导体工业的次品硅及其单晶硅的头尾料,纯度大部分
仍在6N到7N的工业废料被拿来应用于太阳能光伏产业。 2000年德国政府正式出台了高电价强制收购光伏电力的法案,2004年进行了价格修订,使投资光伏发电更加有利可图,光伏需求开始爆发性增长
磷可得N型硅,形成P-N结。当光线照射太阳电池表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下
ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件
准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的
法测得少数载流子寿命高达10000微秒。一般认为,n型单晶电阻率最高可达4000欧姆一厘米,即使采用普通纯度的钳祸和多晶硅原料,电阻率也可达1000欧姆一厘米,且重现性也好。P型单晶的电阻率可达500
层,并作为n型层,与p型材料形成p-n结,从而构成太阳电池。因此它对太阳电池的特性有很大影响,特别是对电池转换效率有很大影响。 一般认为,窗口层对光激发载流子是死层,其原因是,(1)CdS层高
,1997年每峰瓦单晶硅太阳电池的成本已经降到5美元以下。单晶硅太阳电池虽然在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位,但是也暴露了许多缺点,其主要问题是成本过高。受单晶硅材料价格和单晶硅电池制备过程的
:
(1)低成本
(2)导电(或绝缘,依结构设计而定)
(3)热膨胀系数与硅匹配
(4)非毒性
(5)有一定机械强度
比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物,如SiC,Si3N