N型硅材料

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天津希力斯新能源技术研发有限公司转让公告来源: 发布时间:2011-04-15 14:10:59

了喷射冶金技术(已申请专利八项),把2N金属硅中重金属杂质含量降低到亚ppm级,P型硅片电阻率达到0.5欧姆厘米以上,最高达6.5欧姆厘米。公司拥有多晶硅提纯炉、永磁磁场直拉单晶炉和硅材料腐蚀、硅片加工

光伏产业助推河北保定低碳城市建设来源: 发布时间:2011-02-05 10:31:59

使用了太阳能照明灯。据介绍,通过利用太阳能,保定市每年可节电2100万千瓦时,折合标准煤6720吨。作为保定市光伏产业龙头企业的英利集团,目前已建立起全产业链光伏电池生产体系,产品出口欧美多个国家。集团自主研发的高效电池采用国际先进的光伏转换技术和N硅材料

中国太阳能级多晶硅产业近期发展概况分析来源:Solarbe.com 发布时间:2010-12-14 16:57:14

企业毅然投资,开工建厂,通过自主研发、系统集成创新、引进国外先进技术等方式,在短短3~5年内基本掌握了高纯多晶硅材料的生产技术,使我国多晶硅产业规模迅速扩大。   2007年、2008年和2009年
不长,产品质量有待进一步提升。从多晶硅市场价格看,我国多晶硅价格比国际市场高,事实上进口多晶硅价格确实是低于国产产品,晶硅电池制造商对多晶硅材料厂家的选择可想而知。   最后,国外多晶硅企业大幅扩产

多晶硅:缺口仍近五成 价格渐趋合理 (图)来源: 发布时间:2010-12-14 14:10:59

,在短短3~5年内基本掌握了高纯多晶硅材料的生产技术,使我国多晶硅产业规模迅速扩大。2007年、2008年和2009年我国多晶硅的产能分别达到1093吨、4685吨和20357吨,今年产能和产量有望分别
,另外我国多数多晶硅企业投产规模不大,投产时间不长,产品质量有待进一步提升。从多晶硅市场价格看,我国多晶硅价格比国际市场高,事实上进口多晶硅价格确实是低于国产产品,晶硅电池制造商对多晶硅材料厂家的选择

中国速度 演绎太阳能电池发展奇迹来源: 发布时间:2010-12-08 14:14:59

在15%,同国际水平相差不大。   1968年至1969年底,半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中,研究人员发现,P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射
了强烈反响,也坚定了我们走自主研发道路的决心。   在此背景下,科技部组织实施了863攻关计划、十一五支撑计划等,同时,国家发改委组织实施了《高纯硅材料高技术产业化重大专项》,围绕多晶硅生产各环节的重大

英利科技成果鉴定会圆满结束 来源:英利 发布时间:2010-12-06 09:56:25

11月28日,由河北省科技成果转化服务中心组织,保定市科技局主持,由孟宪淦、郭宝增等7名相关专家组成鉴定委员会,在保定市对英利集团有限公司完成的“高效率低成本N单晶硅太阳电池技术的研究
和生产现场,经质疑答辩和讨论,形成专家鉴定意见: 一、“高效率低成本N单晶硅太阳电池技术的研究”,该项目采用了与国际上不同的N单晶硅太阳能电池工艺路线,更具有低成本大规模生产的优势。研发

中国光伏靠自主研发解困“微笑曲线”低端(图)来源: 发布时间:2010-10-25 11:30:59

公司联合研发,并被科技部批准为2010年重大国际合作项目。与目前常规P-硅材料太阳电池相比,熊猫N单晶硅高效电池具有与普通太阳能电池生产工艺相兼容,电池效率衰减率低,光电转换效率高等特点。据介绍

SEMI邀请产业人士加入中国光伏标准工作组来源:SEMI 发布时间:2010-10-25 09:47:47

任务小组或工作小组,覆盖了包括硅材料、硅片、晶体电池、晶体组件、薄膜、原材料、测试方法、设备接口等在内的多个领域。 截止2010年10月18日,SEMI已共计发布了23条光伏行业相关标准,在全球业界
Absorption With Short Baseline MF1619-1107——利用在布鲁斯特角进行p型极化入射获得红外吸收光谱测量硅晶圆中间隙氧含量的测试方法Test Method

多晶硅生产不存在“高能耗、高排放”来源:洛阳中硅高科 发布时间:2010-10-08 08:34:02

随着太阳级硅材料能耗下降(200kwh/kg—160kwh/kg),光伏电池效率继续提高(17%—22%),基片继续减薄,晶体硅光伏发电系统的能量回收期有可能降到1年。若按其工作寿命为30年计
工艺:生产气相白碳黑、硅酸乙酯、高纯石英、光纤预制棒、有机硅等产业链其它产品。 2.2 多晶硅生产“三废”处理 多晶硅生产的“三废”:废气:主要成份N2 ,含少量H2 、HCl、Si2HCl2

霍尼韦尔宣布推出提高晶硅光伏电池效率的新型材料来源:Solarbe.com 发布时间:2010-09-07 11:25:16

发射极、背部钝化、点接触和硼背场 (BSF) 电池。此外,霍尼韦尔的掺杂剂将使 n 型硅基材得到广泛的应用,代替当前占主导地位的 p 型硅,从而消除 p 型硅光致退化效应带来的不良影响。有很多既经济又