N型电池组件

，非晶硅电池组件衰减率高达20%，都明显高于正常值。其它如光伏组件变黄爆裂、支架事故等，也屡见不鲜。 　　以投资者角度来看，规避这一风险，可以选择单晶+自持电站。一位不愿具名的券商人士向《证券日报
》记者解释，在全球市场上，几乎没有衰减的单晶光伏组件市占率正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。 　　仍然以中环股份为例，虽然其N

2.0%时，60片单晶组件与多晶组件功率差超过20W。目前全球量产多晶的转换率在17.5%-18%左右，P型单晶转换率在18.5%-19%左右，N型单晶转换率在21%-24%左右。目前多晶转换率已接近极限

，在全球市场上，几乎没有衰减的单晶光伏组件市占率正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。仍然以中环股份为例，虽然其N型单晶硅片尚未
，非晶硅电池组件衰减率高达20%，都明显高于正常值。其它如光伏组件变黄爆裂、支架事故等，也屡见不鲜。以投资者角度来看，规避这一风险，可以选择单晶+自持电站。一位不愿具名的券商人士向《证券日报》记者解释

的单晶光伏组件市占率正在不断提高，且受双反围剿的影响较小；而自持电站往往因业主对其有严苛的发电量要求，而减少了偷工减料的几率。仍然以中环股份为例，虽然其N型单晶硅片尚未在国内获得广泛应用，但鉴于行业
出现了不同程度的质量问题，甚至有建成不过三年的光伏电站的组件衰减率竟然高达68%。而近日，有媒体报道称，一些应用于光伏电站的晶体硅组件两三年内的衰减率在3.8%-7.0%间，非晶硅电池组件衰减率高达

表面堆积，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极（P极）。这种表面极化现象而引起的输出功率衰减就是PID效应。 3、如何抑制PID效应的发生？ 了解到
）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。 下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线

电池片表面堆积，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极（P极）。这种表面极化现象而引起的输出功率衰减就是PID效应。3、如何抑制PID效应的发生？了解到PID效应
）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1

表面边框支架，最终流向大地。负偏压作用下漏电流路径【2】（6）在漏电流的作用下，带正电的载流子穿过玻璃，通过边框流向地面，使得负电荷在电池片表面堆积，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而
）又称电势诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1

，吸引光电载流子（空穴）流向N型硅的表面聚集起来，而不是像正常状态下一样流向正极（P极）。这种表面极化现象而引起的输出功率衰减就是PID效应。3、如何抑制PID效应的发生？了解到PID效应
诱导衰减，是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。下表为组件PID效应测试前后的参数及I-V曲线对比【1】，通过

绝非SolarCity的唯一目的，分析它近期的诸多举动，会发现其中延续着SolarCity一贯对高科技产业化的探索和金融模式创新的追求。 SolarCity并购的赛昂电力，其主打产品是高效率N型
单晶异质结晶矽太阳能电池（HIT）。N型单晶电池就如同电池行业中的特斯拉，技术含量高、竞争对手少。且根据报道，至少在2013年8月，这家公司就已经实现批量生产转换效率超过21%的N型高效太阳能电池