N型晶体硅电池

，计划2008年底产能达到7000吨，2009年底达到1.5万吨。 最近我们刚刚宣布200兆瓦的高效单晶硅片项目，我们正在与客户配合制作N型单晶硅片。作为LDK一个产品分支，计划2008年10月份开始量产
。尽管这个市场确实需要大量的、经济型的多晶硅，但关键一点要落实生产技术、资金来源和销售市场；其次是成本，我们看到很多国内生产规模在300吨、1000吨、3000吨的生产厂，而对于太阳能市场来讲，起码要上

目前生产的多晶硅产品质量基本上能满足集成电路及功率器件发展的技术要求，用户可不经腐蚀、清洗直接装炉。多晶硅质量指标好，产品稳定，多晶硅N型电阻率都在1000Ωcm以上。表7、表8、表9为几家
晶体硅电池仍为主流市场 晶体硅电池，包括单晶硅（sc-Si）电池、多晶硅（mc-Si）电池两种，它们占据约93%的市场份额；薄膜电池，主要包括非晶体硅太阳能电池、硒光太阳能电池、化合物

。通常情况下，半导体的费米能级位于禁带。费米能级距导带底较近，则电子为多数载流子，材料为n型。费米能级距价带顶近的，空穴为多数载流子，材料为p型。费米能级位置可以通过适当掺杂加以调节。就是说，半导体电导的数量和

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。 （6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和

。常规太阳电池简单装置如图1所示。当N型和P型两种不同型号的半导体材料接触后，由于扩散和漂移作用，在界面处形成由P型指向N型的内建电场。当光照在太阳电池的表面后，能量大于禁带宽度的光子便激发出电子和空穴对