N型单晶电池技术

组件背面所替代。由于光生载流子需要穿透整个电池被电池背表面的pn结所收集，故IBC电池对硅片本身的质量要求较高，需采用载流子寿命较高（纯度较高）的硅晶片材料，一般采用质量较高的n型FZ单晶硅作为衬底材料

流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗
，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展

项目对于高效产品的需求更为迫切。目前多晶电池最高转换效率达到18%，已接近19%的理论值，而目前主流P型单晶电池转换效率为19%-19.5%，距离22%的理论转换效率还有较大提升空间，主流N型单晶电池的

引入此技术。 2)HIT电池技术 HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5～l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5～10nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极

多晶硅生产成本1.2、硅片硅片为多晶硅的下游工序，与多晶硅环节不同，该环节为资本密集型，技术含量不高，产品工艺与投入设备相关，可分为单晶硅片和多晶硅片。1.2.1、产业现状我国是硅片制造大国，2014
已开始运用PERC技术大规模生产电池，我国大部分企业已落后，仅晶澳、乐叶等一线企业在积极引入此技术。2）HIT电池技术HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5～l0nm）和背面侧的

都是太阳能通过二次或多次转换而来。唯有光伏转换，是直接通过太阳的辐射将太阳能转换为电能。其发电原理为：在阳光的照射下，半导体硅片内产生电子--空穴对；在P型硅和N型硅形成的PN结的内建电场作用下，空穴

有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。 与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术

技术、MWT技术、黑硅技术等已在使用或着手研发，部分企业生产的N型电池转换效率已达到22.9%，处于全球先进水平。主流组件产品功率达到255-260W，同比提高近6%。　　图表11.2008-2014年
、双面电池技术进展都在加快，并在接近或正在导入产业化。从技术水平看，我国光伏行业近年来通过加大工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。2014年多晶硅生产平均综合能耗下降至110kwh/kg，部分企业

，硅烷法流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件
进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业