索比光伏网讯:1月21日,大功率IGBT产业化建设工程主体混凝土封顶仪式在株洲南车时代电气股份有限公司举行,这标志着该项目顺利完成了首个里程碑节点,保障了项目建设进度,为实现2013年底投入试生产的
总目标打下了坚实基础。株洲所副总经理曾鸿平、大功率半导体器件IGBT产业化建设项目建设总指挥彭华文等出席了封顶仪式。大功率IGBT产业化建设项目于2010年启动,2012年7月初完成项目用地交付并进
。 原材料供应紧张将成为价格催化剂从历史来看,电力电子需求爆发往往会导致供应链中关键元器件的瓶颈。比如2009年IGBT的价格大涨等。从今年行业2-2.5倍增长来看,我们认为在下半年核心元器件供给仍然是
将在下半年交货高峰时偏紧,届时供需扭转有望推动价格回升。 原材料供应紧张将成为价格催化剂 从历史来看,电力电子需求爆发往往会导致供应链中关键元器件的瓶颈。比如2009年IGBT的价格大涨等。从今
,SMA系列拥有上方高端机的先天优良技术血统的同时采用上方专利级的多级推挽叠加技术,继承了组串式的逆变器的数字PID、电压空间矢量svpwm算法、智能的模糊的MPPT和反孤岛策略,IGBT保护模块、改良的
LF2407A的优势。前级多级叠堆DC/DC功率器件采用频率更高的MOSFET,后级逆变H桥采用英飞凌的IGBT,并配合上方专利级的功率驱动和保护模块,铸造了上方的SMA系列极高的性价比
核心元器件如IGBT等供应紧张。这在上一轮周期(2009年)时同样发生过。这将导致逆变器出现供应链瓶颈,从而进一步推升逆变器价格。
行业供给无法快速释放的因素在于核心元器件如IGBT等供应紧张。这在上一轮周期(2009年)时同样发生过。这将导致逆变器出现供应链瓶颈,从而进一步推升逆变器价格。
内著名的半导体企业有研硅股进行大尺寸半导体级全自动单晶硅生长炉的合作,8英寸区熔硅单晶炉技术上与天津市环欧半导体材料有限公司合作研究,该设备不但可以应用于IGBT产业,并可应用于效率高达25%的CFZ
内著名的半导体企业有研硅股进行大尺寸半导体级全自动单晶硅生长炉的合作,8英寸区熔硅单晶炉技术上与天津市环欧半导体材料有限公司合作研究,该设备不但可以应用于IGBT产业,并可应用于效率高达25%的CFZ
世界最大半导体制造商英飞凌公司的IGBT模块,并外接了1片16位高速ADC模块,在世界一流核心器件的基础上为第一代伺服系统建立了一个高性能的硬件平台,其多项技术处于国内领先地位
。记者注意到,宁波天琪和西安华晶的订单分别在2011年1月20日和24日公布,神舟新能源订单则在当年4月发出公告。紧接着,2011年5月,公司便抛出定向增发预案,拟募集最多11亿资金投资IGBT及光电子