IGBT

、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通晶闸管即属于这一
类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流

。 众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅（Si）材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是

电脑芯片一样进步很快，但越往后则进步越有限。因此，光伏逆变器的更新换代，不可能像家电那么快。我认为，未来逆变器成本下降的方向，应该是从电路集成、系统集成以及IGBT功率模块等方面入手，比如向专用IC的

很快，但越往后则进步越有限。因此，光伏逆变器的更新换代，不可能像家电那么快。我认为，未来逆变器成本下降的方向，应该是从电路集成、系统集成以及IGBT功率模块等方面入手，比如向专用IC的方向发展。短期来看

自主开发的EA990 系列高频大功率不间断电源，是国内唯一采用IGBT整流+输出隔离变压器拓扑结构的产品，其采用的全DSP处理技术和高可靠设计理念，充分体现了产品智能化电池、通讯管理及完善保护等功能

硅单晶数颗，截至目前月产可达到3500公斤。 　　目前环欧公司的8英寸区熔单晶硅已开始向客户群提供批量生产的产品。安艳清向记者介绍，8英寸单晶硅是制成动车IGBT(绝缘栅双极型晶体管，半导体器件
)的主要原材料。中环股份是全球第二家、全国首家拥有这一技术的公司。而这一技术实质上填补了我国的科技空白，实现了IGBT的国产化。

艳清向记者介绍，8英寸单晶硅是制成动车IGBT（绝缘栅双极型晶体管，半导体器件）的主要原材料。中环股份是全球第二家、全国首家拥有这一技术的公司。而这一技术实质上填补了我国的科技空白，实现了IGBT的国产化。

，8英寸单晶硅是制成动车IGBT(绝缘栅双极型晶体管，半导体器件)的主要原材料。中环股份是全球第二家、全国首家拥有这一技术的公司。而这一技术实质上填补了我国的科技空白，实现了IGBT的国产化。

DSP数字化控制技术，还配合使用高速IGBT逆变器，通过无源节点和RS232/RS485实现智能监控，在稳定、先进、高效的数字技术基础上，设计出具有数字化、信息化、网络化为一体的智能化数字控制，为该公司信息化设备和研发设备提供全面电源保护。

不断刷新新低，导致企业开始从多个角度考虑降低成本 以保证利润空间。零部件是寻求新利润空间的压榨点。逆变器所用到的电子器件包括电阻、电容、集成电路、IGBT等，结构器 件包括各种金属和非金属的部件、模块
等，电气元件包括断 路器、变压器、电感、散热器等，以及电线、电缆等。在以上提及的部件中，电容、IGBT、断路器、散热器等成为了 一些企业以次充好获得利润空间的环节。IGBT模块、 断路器和开关对