产品规格以抢攻商机,例如快捷本身即推出可符合双倍功率输出需求的绝缘闸双极性电晶体(IGBT)及金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),以及可在100k~200kHz高开关切换频率下运作的电容器,以
。 ● 设备结构紧凑,占地面积小。 ● 主电路采用IGBT组成的H桥功率单元链式串联结构,每相由多个相同功率单元组成,整机输出由PWM波形叠加而成的阶梯波,逼近正弦,经输出电抗滤波后正弦度良好
光伏并网逆变器荣膺SNEC(2014)光伏展十大亮点评奖吉瓦级金奖。该光伏并网逆变器采用高效率IGBT功率器件,运用DSP+CPLD全数字控制、MPPT算法和反孤岛等先进技术,具有电压适应范围宽、MPPT
索比光伏网讯: (南车IGBT项目区)世纪新能源网报道:6月15日从石峰区中国南车株洲所获悉,该公司生产的8英寸IGBT定于6月20日下线,将正式改变我国在大功率电力电子器件关键技术长期依赖进口的
局面。作为我国最早开发大功率高压IGBT器件技术及产业化的企业,南车株洲所旗下南车时代电气于2008年通过资本运作与技术创新,研制成功IGBT芯片技术,实现了IGBT芯片技术的自主掌握,并于去年起开始进行试生产。截至目前,该公司高压IGBT产品已累计批量销售达10万只。
时实现可靠运行。这样便无需使用旁路二极管,从而降低了复杂度,减少了系统成本。
英飞凌IGBT和碳化硅分立功率器件营销总监Roland Stele表示:英飞凌致力于提供有助于客户最大限度提高其设计
挖掘碳化硅材料潜力迈出的一大步。
在升压拓扑和功率因素校正(PFC)升压拓扑中结合新的1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管和英飞凌出类拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能够
,2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元,贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70
,公司大功率IGBT产品已小批量生产,国内大部分市场被欧美日企业占据,未来进口替代空间大。投资逻辑:从光伏制造到聚光电站,业绩有望高速增长。公司是逐渐向新能源转型的半导体公司,随着光伏行业回暖及高效硅片
系列UPS,该系列产品是采用先进的DSP控制器、高速16位的数字芯片、DDC控制技术,配合使用先进的大功率器件IGBT及SCR,在稳定、先进、高效的数字/模拟混合技术基础上,设计出的集数字化、信息化
UPS供应产品。易事特相关技术人员介绍说,EA860系列UPS是中小功率三进单出系列UPS电源,其是高速16位数字芯片、ASIC的DDC控制技术、先进的大功率器件IGBT及SCR的完美组合,可提供双机
列产品是采用先进的DSP控制器、高速16位的数字芯片、DDC控制技术,配合使用先进的大功率器件IGBT及SCR,在稳定、先进、高效的数字/模拟混合技术基础上,设计出的集数字化、信息化、网络化为一体的大容量
。易事特相关技术人员介绍说,EA860系列UPS是中小功率三进单出系列UPS电源,其是高速16位数字芯片、ASIC的DDC控制技术、先进的大功率器件IGBT及SCR的完美组合,可提供双机串联式并列运行
索比光伏网讯:IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的CPU。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段,株洲所是我国唯一
全面掌握IGBT从芯片设计模块封装组件应用全套技术的企业,也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这,不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀,更
,本设计采用TI公司的TMS320F240作为主控芯片,用于采集电网同步信号、交流输入电压信号、调节IGBT门极驱动电路脉冲频率,通过基于DSP芯片的软件锁相环控制技术,完成对并网电流的频率、相位控制