IGBT

意法半导体公司（STMicroelectronics）12月1日发布了光伏发电逆变器（PCS）用的1200V耐压新型绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 1200V耐压的新型绝缘栅双极晶体管
封装外观。 该IGBT为进一步降低通态电压，减少开关损耗，提高了沟槽栅场终止结构水平。由此可大幅提高逆变器的坚固性和转换效率。 通过优化导通特性和断路特性，并降低开关侧发生的断路损耗，使之

索比光伏网讯:11月10日，赛米控国际集团首席运营官Harald Jaeger一行四人来公司考察调研，重点关注在IGBT芯片、封装领域的合作前景。南车时代电气副总经理兼半导体事业部总经理刘可安、电气
的客户关系，销售占整个欧洲市场的53%，计划在此基础上设立一个新的项目，希望与公司合作，采用IGBT芯片产品研发一种新型模块，电压等级覆盖1700V-6500V，作为重要变频器适用于欧洲的轨道交通

索比光伏网讯:近日，装有首批8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达国际先进水平，标志着由中国南车株洲所下属公司南车时代电气自主研制生产的8英寸
IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。作为电力电子装置的心脏，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，受制于人，发展艰难而缓慢。国内

汇川技术在电梯电机控制、电动大客车电机控制、光伏逆变器等领域的合作近十年，而IGBT作为自动控制和功率变换的核心部件，现已成为实现以上领域节能和低碳经济的关键技术支撑。英飞凌是全球最大的功率半导体供应商
，其IGBT器件具备超低的导通和开关损耗，以及极高的功率密度，可大幅改善电机工作效率与可靠性，同时优化系统成本。此外，在新能源、工业控制、轨道交通、智能电网、智能家电等产业中，英飞凌IGBT有效地提高了

99%，MPPT效率做到98%到99.9%，单机最大功率现在有2.5兆瓦，电路结构主要目前是以两电平为主少量为三电平，冷却方式风棱为主，少量为自冷，液冷，功率器件以IGBT为主，（英文）为辅，少量的

索比光伏网讯:　　日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出专门为串接太阳能逆变器和中功率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay
Semiconductor模块在采用压合技术的单片封装内组合了超快Trench IGBT、高效HEXFRED? 和FRED Pt 二极管，用热敏电阻轻松实现热管理，为基于三电平中性点钳位(NPC)拓扑和交叉多

为PSH50YA2A6。该产品采用混合构造，即二极管部分配备SiC制肖特基势垒二极管（SBD）、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的CSTBT（利用载流子积聚效应的IGBT）构造的第七代IGBT
。据介绍，新产品的功耗与三菱电机的原产品PS61A99相比降低了约25%，这样便可实现逆变器系统的低功耗化，因此可以提高电力转换效率。另外，新产品还将短路保护方式改为从IGBT提取几千分之一左右的集电极电流

99%，MPPT效率做到98%到99.9%，单机最大功率现在有2.5兆瓦，电路结构主要目前是以两电平为主少量为三电平，冷却方式风棱为主，少量为自冷，液冷，功率器件以IGBT为主，少量的碳化硅器件，在

前是以两电平为主少量为三电平，冷却方式风棱为主，少量为自冷，液冷，功率器件以IGBT为主，（英文）为辅，少量的碳化硅器件，在工信部支持下，最近碳化硅器件国产也有些突破。现在目前电压等级在1000伏以内