监控系统-SmartHMI能24小时在线监控所有关键元器件及参数,全天候预警,智能维护提醒,大大降低人工运维成本。此外,酒泉润科的逆变器都配有McPIC精准控制系统硬件,直接管理IGBT驱动,降低谐波;其
%,核心器件IGBT采用进口器件,稳定可靠。同时该装置首次实现了在电容功率比极小情况下,也能在纯容性无功模式下,实现均压误差小于10V。追日电气在电能质量优化方面具有十多年的技术沉淀,通过其专有的滤波控制
之间,还应当设置共模滤波器,防止对太阳能电池的电磁干扰。2.电力电子器件用于太阳能光伏发电系统逆变器(含输入直流斩波级)的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET
速度最快,但成本也最高。与此相对的IGBT则开关速度较慢,但具有较高的电流密度,从而价格便宜并适用于大电流的应用场合。超结MOSFET介于两者之间,是一种性能价格折中的产品,在实际设计中被广为应用
仅为1.4m,整机功率密度业界最大,相比行业内同型号逆变器至少减小了20%的占地面积。产品采用突破性液冷散热技术,使得核心器件IGBT温升相比传统铝型材散热方案低15-20℃。散热技术业界领先,进一步
Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装,可增大爬电距离并改善热性能。 全新IC的爬电距离为8 mm,输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设
采用进口的高精度电子器件设计,并拥有台达近40年的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)使用经验作保证。第四,帮助客户有效节约成本,逆变器集合了交/直流柜,体积小(1,600mm x 1,950mm x
,确保电子部件长寿命运行;第三,保证系统效率及品质。全部采用进口的高精度电子器件设计,并拥有台达近40年的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)使用经验作保证;第四,帮助客户有效节约成本。逆变器集合了交/直流
式二套。装置主要包括:二套额定容量2Mvar的以IGBT为核心部分的SVG型动态无功发生器、连接电抗器、避雷器等组成。二、资金来源:企业自筹资金。三、工程地点与交货期:交货地点:齐齐哈尔市昂昂溪区
=445V。 为什么上限是850V,这个问题就有一点复杂了。这牵扯到逆变器IGBT的损耗问题。 IGBT的损耗主要包括通态损耗和开关损耗。 通态损耗主要取决于IGBT的导通饱和压降Vce(sat
日本市场使用的微逆。 另外他们还展出了集中式逆变器。北电的集中式逆变器采用了最新的IGBT和电子能源技术。该逆变器在同类产品中转换效率遥遥领先。最优化的最高功率点追踪和防孤岛技术保证了其高输出功率和