IGBT

近日，古瑞瓦特与全球知名的IC及半导体制造商安森美半导体达成深度战略合作协议，双方携手成立联合实验室，共同推进IGBT在逆变器领域的技术创新与应用。 作为全球领先的逆变器品牌，古瑞瓦特
为全球提供多元化的高品质产品和服务。逆变器内部，凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等对品质要求极高，以确保逆变器能够长期稳定工作。古瑞瓦特始终坚守严控内核品质，逆变器的核心元器件如IGBT单管或

输出谐波降低到1.5 %，采用LCL滤波器滤除逆变器发出的高频电流，降低对电网的影响，大幅提升三相逆变器的电网友好性。 六、采用最新进口元器件，性能更强 1) IGBT采用最新
第五代德国英飞凌IGBT，耐压值更高，载流量更强，功率损耗更小。 2) 控制板DSP芯片采用全新美国TI2806系列，支持更高的开关频率技术，采用更先进精密的算法，可以提高MPPT的追踪精度和效率

。 设计阶段长期的测试验证过程 散热性能是影响逆变器寿命及可靠性的关键因素之一，在逆变器内部凡是经过大电流的功率型器件，如IGBT、电感等都需特别关注其在各种严苛工作环境中的温升，以确保
。逆变器的两大散热源，一个是IGBT，一个是电感。古瑞瓦特已取得晶体单管压接工艺专利，这种压接工艺确保晶体管能够在长期的工作过程中紧密均匀贴合散热器，确保晶体管长期的散热可靠性，间接地保护逆变器的稳定性和

光伏逆变器，有效确保了电站作业的稳定性和高效率，有效助力项目顺利运行。 三电平T型IGBT的损耗比两电平低，转化效率更高 新一代正泰电源500kW光伏逆变器专为大型地面、山地、丘陵以及工商业屋顶等

IGBT、MOSFET等功率开关管，以及变压器、电感等磁性器件。损耗和元器件的电流，电压以及选用的材料采取的工艺有关系。 IGBT的损耗主要有导通损耗和开关损耗，其中导通损耗和器件内阻、经过的电流
减小逆变器功率器件的开关损耗。 采用碳化硅材料的元器件碳化硅器件的单位面积的阻抗仅为硅器件的百分之一。利用碳化硅材料制作的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件，其通态阻抗减为通常硅器件的十分之一

流控制、散热设计、电磁兼容、谐波抑制，关键器件保护，效率控制等等，需要投入大量的人力和物力去研发和测试。 本文主要介绍逆变器中的IGBT保护技术 IGBT是一种功率器件，在逆变器中承担着功率变换和
能量传输的作用，是逆变器的心脏。同时，IGBT又是逆变器中最不可靠的元器件之一，对器件温度、电流、电流非常敏感，稍有超标，一言不合便炸机，而且不可修复，IGBT损坏就意味着逆变器需要更换或者大修。因此

及时发现直流线缆出现的异常状态;通过对自身的IGBT、电容、滤波电抗、冷却风机、继电器等关键部件的状态监测及大数据分析，及时了解逆变器自身健康状态，并生成体检报告。 统一通信规约 智能逆变器内部集成

500KW以下的集中式逆变器基本退本市场。功率器件采用大电流IGBT，系统拓扑结构采用DC-AC一级电力电子器件变换全桥逆变，后级一般接双分裂工频升压隔离变压器，防护等级一般为IP20。体积较大，室内立式