IGBT芯片
创新技术，可将太阳能逆变器的性能提升至新的水平。凭借新型SiC JFET技术，我们可以帮助客户开发出更好的气候保护解决方案。 与IGBT相比，新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET
太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。 为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性，英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中，JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片
考验，因此为了保证逆变器能适应各种极端天气环境，采用品质可靠的元器件就变得至关重要。
其中，严寒天气主要需要考量的器件包括：芯片(IGBT)、DSP、滤波/母线支撑电容、继电器、交直流断路器、漏电
检测保护装置、液晶屏、PV端子等。
(1)芯片(IGBT)：低温对半导体的导电能力、极限电压电流及开关特性都有很大的影响。而一个芯片中往往包含了成千上万的晶体管及其他元器件，每一点小小的偏差累计可能造成
项目验收。据悉，该项目成功研制了1.2千伏、1.7千伏IGBT智能功率模块系列，开发了具有自主知识产权的智能IGBT智能功率模块设计方法，攻克半导体功率芯片高性能布局技术等难题。基于研制的国产智能功率
分开安装，热量直接向外散发，不会提升逆变器内部温度。避免逆变器其它元器件如电容，芯片，传感器温度升高而性能受到影响，降低寿命。
3、经过硅胶和铝壳双层密封，可以降低电感的噪声。电感整体固定在逆变器
散电感会随着电流的增加、连接导线尺寸增大、距离增长而增大，在IGBT关断的过程中，由于电流急剧减小，会在IGBT上产生电压尖峰，有几个方面的风险：一是会使IGBT过电压，在大电流场合，就需使用更大电压
太阳电池芯片、组件、太阳能应用产品、太阳能发电系统、太阳能集热板及热水器系统。
高管成员一览表：
序号姓名性别年龄学历职务
1陈五奎男59硕士董事长，法定代表人，非独立董事，总工程师
2刘强男
省级重点研究院、省级晶体装备研究院等研究平台。自主研制的产品广泛应用于半导体、光伏、IGBT功率器件、LED光电子以及蓝宝石窗口材料等领域，公司是国内技术领先、国际先进的半导体硅材料、光伏硅材料
介绍，光伏逆变器的产能受限，主要是其核心元器件供应不足。韩甲治进一步解释，光伏逆变器产品的核心元器件(主控芯片、IGBT模块等)主要依赖进口，全球范围内能满足电力电子器件需求的厂家不到10家，以德日两国
采用晶体管(IGBT)技术的高频在线互动式UPS的满载效率可达到95%-97%。更加高效，热量更少当今的UPS的能源效率提高了15%，而冷却需求却在下降，提高了其可靠性。模块化UPS的平均故障间隔时间
更节能高效采用经济模式运行的UPS，具有极大的优势，但最新开发的碳化硅技术可能会抵消经济模式的优势，目前晶体管制造都是传统可控硅器件，对于UPS来说，绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的功能越来越强大且
认为相较于光伏产业刚起步的阶段，目前有一部分逆变器元件的确已经摆脱进口依赖，但核心元器件(主控芯片、IGBT模块等)基本都还是国外的产品，许多功能元件的研发都远远落后于欧美日国家。“我们要从
IGBT芯片技术，比前一代IGBT提升了0.5％-0.8%效率，同时也应用了全新美国TI2806系列DSP芯片技术，将产品的CPU处理速度和PWM分辨率增加了1.5倍。直播回顾地址：http
。采用IGBT5 .xt技术的新一代PrimePACK?3可以使得单机容量做到1MW以上，真正体现1500V光伏系统的价值。为推动1500V光伏系统技术，我们在和有设计咨询能力第三方实验室及认证机构
最高的效率为目标。中国逆变器企业必须要有创新才能赢得这一市场，他们的技术一定是多元化，需要定制一些IGBT模块来帮助客户和行业实现技术超越。为了加强与客户的技术合作，提高对中国客户的支持水平，我们建立
