表面,发射区电极和基区电极也相应地位于电池背面,如IBC电池。②前结电池。p2n结依然位于电池正表面,只是通过某种方法把在正表面收集的载流子传递到背面的接触电极上,如EWT电池。2各种背接触硅太阳电池
索比光伏网讯:意大利Silfab股份公司与康斯坦兹国际太阳能研究中心(ISCKonstanz)日前成功使用商业尺寸单晶硅片研制出效率达到21%的交错背接触(IBC)太阳能电池。双方自2011年夏天起
意大利Silfab股份公司与康斯坦兹国际太阳能研究中心(ISCKonstanz)日前成功使用商业尺寸单晶硅片研制出效率达到21%的交错背接触(IBC)太阳能电池。双方自去年夏天起就开始
共同开发“斑马”交错背接触技术,据称这一技术有潜力将太阳能电池的效率提升至24%以上。
“斑马”背接触电池使用156×156mmn型单晶硅片(Cz),由于p-n结和电极连接均在电池背面,这一
索比光伏网讯:意大利Silfab股份公司与康斯坦兹国际太阳能研究中心(ISC Konstanz)日前成功使用商业尺寸单晶硅片研制出效率达到21%的交错背接触(IBC)太阳能电池。双方自去年夏天起就
开始共同开发斑马交错背接触技术,据称这一技术有潜力将太阳能电池的效率提升至24%以上。斑马背接触电池使用156 156mm n型单晶硅片(Cz),由于p-n结和电极连接均在电池背面,这一结构避免了传统
接触(Bifacial Interdigitated Back-contact;IBC)高效太阳电池采用的即是N -Type矽晶圆,N-Type单晶可望成为晶材未来的发展重点。就太阳能电池方面,太阳能
单晶厂,初期将以主流的P-Type为主,确实率先突破台湾「缺单晶」的重围。太阳能业者表示,有监于旗下M.Setek在N-Type矽晶圆的布局,再加上友达与美国SunPower在马来西亚合作的双面指叉背
(Shine Magazine/光能杂志 & www.solarbe.com/索比太阳能光伏网 记者 刘海明 编译)太阳能硅电池,通过使用一种叫做叉背接触(IBC)的技术,可以使其实现优于20%的
转化效率。由IMEC的领导的一个研究小组已经证明了小面积电池的转化效率达到了23.3%。IMEC光伏研发项目总监Jef Poortmans说:“研究结果证明了叉背接触技术对我们行业合作伙伴得相关性
HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)、Sunpower的背接触型太阳能电池(Interdigitated Back Contact;IBC)及荷兰
日本三洋为代表的HIT(HeterojunctionwithIntrinsicThinLayer)、Sunpower的背接触型太阳能电池(InterdigitatedBackContact;IBC)及
,包括以日本三洋为代表的HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)、Sunpower的背接触型太阳能电池(Interdigitated Back
Contact;IBC)及荷兰ECN所提供技转的金属贯穿式背电极结构(metal Wrap Through;MWT),是目前诸多业者积极研究投入的新领域。 太阳能业者表示,这3个技术对业者而言耳熟能详,但投入者
480万美元经费的用途,并详细介绍了其正在进行的研究开发。目前,常见的太阳能电池由于正面电极遮挡阳光,导致了效率降低。而交错背接触(IBC)太阳能电池的金属电极都位于电池的背面,正面的受光面积变大,从而