日前,海润光伏在美国佛罗里达州第39届IEEEPVSC会议上发表两篇重要学术文章,宣布其最新研发成果Andes系列太阳能电池和高效交指式背接触(IBC)太阳电池。据介绍,海润光伏的Andes系列电池
可达285瓦(60片电池)和335瓦(72片电池)。此次在IEEEPVSC发表的另一篇文章,介绍了海润光伏研发团队在交指式背接触(IBC)太阳电池上的最新进展。IBC太阳电池效率目前可超过24%,但其
前沿的电池技术都有专业的团队在跟进与储备,如IBC电池。
此次研讨会中国科学院上海技术物理研究所褚君浩、沈学础院士、副所长戴宁,上海太阳能电池研究与发展中心、中科院宁波材料所相关研究员也参与了
研究中心,将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究,在相关关键技术上形成自主的知识产权,并将研究结果产业化。
光伏创新研究中心的功能主要围绕太阳能电池高效率
(EmitterWrap-Through)即发射极环绕穿通电池,它是MWT电池的改进版,兼具了IBC电池与MWT电池的优点。此外EWT的孔洞导通一般是通过重扩的方法来实现的,一方面把电池正面发射极和背面局部发射极连接在一起,另一方面重
中金属化孔洞的制备和电级间的分流仍然是MWT发展需要优化的难题。
EWT(Emitter Wrap-Through )即发射极环绕穿通电池,它是MWT电池的改进版,兼具了IBC电池与MWT电池的优点
太阳电池结构的优越性;(4)实现从电池的前结和背结双结共同收集电荷,故有很高的电荷收集率。此外,薄的硅片因为减少了电荷的传输路径,降低了孔电阻,也可以提高电池的填充因子。
激光打孔技术应用日趋广泛
IBC电池与MWT电池的优点。此外EWT的孔洞导通一般是通过重扩的方法来实现的,一方面把电池正面发射极和背面局部发射极连接在一起,另一方面重扩还可以降低接触电极的接触电阻。这样通过重扩的孔洞将前表面
MWT和EWT太阳电池结构的优越性;(4)实现从电池的前结和背结双结共同收集电荷,故有很高的电荷收集率。此外,薄的硅片因为减少了电荷的传输路径,降低了孔电阻,也可以提高电池的填充因子。激光打孔技术应用
半导体材料的不同,分为:硅基薄膜太阳电池、化合物薄膜太阳电池(含Ⅱ-Ⅵ族:碲化镉-CdTe,以及扩展Ⅱ-Ⅵ族:铜铟镓硒-CIGS,铜锌锡琉-CZTS等)、有机和染料敏化太阳电池。薄膜太阳电池原材料成本低
索比光伏网讯:近日,中国科学院微电子研究所贾锐研究员带领的高效太阳能电池研究团队成功研制出国内首款异质结背接触原型太阳能电池(2cm2cm)。 异质结背接触(HIT-IBC)电池作为高端高效
Solar Cells, IBC)研究领域进行了深入的科研探索,有着深厚的积累。该团队运用自行研制的浆料形成均匀发射极,成功研制出高效IBC电池,在此基础上适时地推出了异质结背接触电池研究计划,该类电池充分
太阳能电池的技术。比如,美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池(InterdigitatedBackContact,IBC)以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅
N型太阳能电池转换效率的创新之举。IBC步骤多于20。由于更高的成本与复杂性,IBC更容易被半导体行业所接受而非光伏企业。很多光伏企业并无设备、金融资本以及技术专家来采用这项技术。HIT的步骤少于
列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。
第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如,美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池
(Interdigitated Back Contact,IBC) 以及松下子公司夏普主导的HIT薄膜太阳能电池均为提高单晶硅N型太阳能电池转换效率的创新之举。
IBC步骤多于20
表面,发射区电极和基区电极也相应地位于电池背面,如IBC电池。②前结电池。p2n结依然位于电池正表面,只是通过某种方法把在正表面收集的载流子传递到背面的接触电极上,如EWT电池。2各种背接触硅太阳电池
合掉了,从而会使电池效率大大下降。尽管n型硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结电池。2.1.1IBC太阳电池IBC