HIT

效率提升空间和稳定性，成为行业关注和研究的热点。根据图1和2国际光伏技术路线图ITRPV2015的预测，随着背接触（BC）、异质结（HIT）等电池新结构，及激光、离子注入等新技术的引入，N型单晶电池的
晶硅组件。图4N型和P型晶硅组件相对效率随入射光强度的变化曲线3.N型单晶电池结构和特点目前研究的N型单晶高效电池主要有:PERT电池，PERL电池，HIT电池，IBC电池，HBC电池等。PERT电池

PERC技术，因为它兼顾了高效和较低的生产成本，所以在现阶段是度电成本最低也是性价比解决最高的方案，对比PERT效率上有一定的优势，对比HIT在成本上还是具有明显的优势。未来的组件封装技术还会进一步发展，从

起名为pand，正好和国产熊猫是一致的，当时为什么选择N型N-PERT，第一个结构比较简单，第二个利于产业化，第三个成本低，和现在产线设备大部分都可以做兼容，大家知道HIT工艺流程和设备，现有大部分

360和370，目前对于我们开发的双面产品来说，它的双面率是超过75%，也就是说相比而言，可能没有N型的HIT或者N型的PERT发电量高，但是这个已经非常接近了，75%和90%之间差距到底有多少，事实上

、双面发电等方面受到HIT电池的挤压，在下风中很难生存。如果PERC电池将来失败的话，一定会出在光衰问题上。以下为演讲实录：王文静：谢谢各位，今天在这个场合，我来介绍一下光伏产业面临技术升级，我们
HGT，它把前边电机全部取消，全面背面用一层n型P型，就是把一个立体双机气件，所以它的结构有个巨大的变化，所以我们说这有一些革命性的。另外就是HIT，它是把完全偏节变成了非晶硅的模式，所以整个沉积做

18.6%，采用PERC和黑硅等技术的先进生产线则分别达到20.5%和19.1%，异质结（HIT）、背电极等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.2元/瓦

%，采用PERC和黑硅等技术的先进生产线则分别达到20.5%和19.1%，异质结（HIT）、背电极等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.2元/瓦

大家。杨立友：刚才几位老师讲了很多，都是先异质结电池再N-PERT，中来不一样，你们是怎么看的。杨智：我们选择这块每一代电池和下一代电池是有承接的，我们做完N-PERT跳到HIT上面，我们很少能用
到HIT上面，这样的话它整个产业线兼容性不是很好。我们在整个固定资产投资上面我们的风险比较小，我们在topcon做完之后，我们用我们目前的所有设备，我们做出来。如果没有办法很快把HIT的度电层做下来，比

的技术路线图，把它按照效率换一个方式表达，我们可以看到，我们现在常规的电池单晶我们现在N-PERT达到21%，再往高走的话，我们宋博士也讲了，N-PERT的技术效率比较高，再往高走就是HIT，这是双面
的，我们投入另外一个现象，物理现象来说，它一个动画问题。IBC它实际上是一个电极的机械化技术。现在研究的比较多的HIT上面。随着效率的提高，效率比较低的时候，它是P型，再往高效率走的话，都是N型为主

。还有就是说单纯的HIT，刚才像杨总介绍的，也是用的N型硅。另外所谓N-PERT电池，也是N型硅，将来从事实上目前的看，基本成为发展的贵校，当然25的效率也有P型硅的，但是从总的趋势来看，要上25的效率
好可以说它效率分布非常窄，它的背面比较高。挑战是什么?所有的N型电池包括HIT，刚才说的分层系数问题。第二个原因因为用量少，大家知道N型电池，这么一个市场，很多这种硅片厂不愿意投入太的精力，他对一些