Ge衬底

（GE）获得了创世界纪录的12.8%模块效率。由于碲化镉材料价格相对较低，易于实现规模化大批量生产，因此具有潜在的成本优势。近年来，碲化镉薄膜太阳能电池商业表现较佳，市场前景广阔，未来可能超过非晶硅
电池简单的制造工序以及能耗少的生产流程克服了光电转化效率相对较低以及寿命较短所带来的成本挑战。 　　由于采用价格相对便宜的玻璃、不锈钢等作为衬底，加之相关的电子半导体及玻璃行业已经发展成熟，这使

。 扬州是全国第六个国家半导体照明产业化基地，被批准为江苏省光伏产业基地。近年来，先后引进了顺大、晶澳、尚德、天威、新日能、奥克化学等一批核心企业。目前，扬州半导体照明产业初步形成了“蓝宝石衬底－外延片
，预计到今年底产值将达640亿元，销售收入600亿元，分别增长26.5%、25%。目前，国家电网电力科学院、GE、西门子、LS、台湾大同、西安交大、国电南自、群硕软件等一批国内外著名企业、科研院所落户

），GAAS／GE电池19.5％（AM0），CULNSE电池9％（LCM1CM），多晶硅薄膜电池13.6％（LCM1CM，非活性硅衬底），非晶硅电池8.6％（10CM10CM）、7.9％（20CM20CM

。” 　　拓日新能：非晶硅龙头的核心竞争力 　　薄膜太阳能电池是在廉价的玻璃、不锈钢或塑料柔性衬底上，附上厚度只有几微米的感光材料制成。与晶体硅光伏电池相比，薄膜电池具有用材少、成本低、安装方便、易折叠
设计，其次更改聚光系统、倍数和散热，以求在高倍时可以光热互补。 　　目前产业化的三结面InGaP/GaAs/Ge太阳能电池(更大光谱范围吸收太阳能)转换效率达35%-40.7%，而三安光电称其目前GaAs

IMEC实现了在锗衬底上制造单结砷化镓（GaAs）太阳能电池，转换效率创记录地达到24.7％。该转换效率由美国国家可再生能源实验室（NREL）测量及认证。GaAs太阳能电池可用于卫星太阳能面板和地表太阳能聚集器。

。最早开发的主要是非晶硅薄膜电池，但非晶硅薄膜电池转换效率低，一般只有5%-8%，并且氢化非晶硅还有光致衰退问题，但是由于其制造工艺简单、成本低、不需要高温过程、衬底选择余地大、适于大面积生产等特点，在上
聚合物衬底的柔性薄膜太阳能电池适用于建筑屋顶等需要造型的部分。一方面它具有漂亮的外观，能够发电；另一方面，用于薄膜太阳能电池的透明导电薄膜(TCO)又能很好地阻挡外部红外射线的进入和内部热能的散失，双层

Vangtuard I，体装式结构，单晶Si衬底，效率约10%（28℃）。到了1970年代，人们改善了电池结构，采用BSF、光刻技术及更好减反射膜等技术，使电池的效率增加到14%。在70年代和80年代
21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge

主要因素是构成凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特
林等人第一次采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七

开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。 1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜
备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。 各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应

凝聚态的原子短程结构，即最近邻的原子配位情况。从1960年起，人们开始致力于制备a一Si和a一Ge薄膜材料。早先采用的方法主要是溅射法。同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。1965年斯特林等人第一次
采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始