GaAs

，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染。砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对
热不敏感，适合于制造高效单结电池，但是GaAs材料的价格不菲，也在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。铜铟硒薄膜电池(简称CIS)适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅相当，但铟和硒都是

工艺技术，并重拾快速增长的GaAs聚光太阳能电池业务。Spire总裁兼CEO Roger G. Little表示，Spire的GaAs 太阳能电池业务在升温，并已在安全、生物制药和消费电子三种业务上获得
经济支持；加上之前在这个领域获得的坚实基础，将来Spire会加强在该领域的投资力度。Bandwidth总经理Edward Gagnon表示，既能抓紧机会投资GaAs太阳能电池和热致光伏市场，又能利用

太阳光谱加以利用。例如，SolFocus采用锗衬底来吸收红外光，并添加GaAs和InP层来吸收蓝光和紫外光，以用于航空领域。 　　不幸的是，多结太阳能电池的价格是硅电池的两倍。太空中是没有办法获得

的未来高效太阳能电池的候选之一。 　　筑波大学开发的量子点型太阳能电池是在pn结之间层叠多个量子点层的量子点超晶格型产品，在1cm见方的GaAs底板上交替叠加了30层GaNAs和30层InAs的超晶格结构

ANADIGIC S, Inc. (Nasdaq: ANAD) 今天在昆山高新技术产业园区 (KSND) 举行最新的一流六英吋砷化镓 (GaAs) 整合电 路晶圆制造厂奠基动工仪式，这是全市

效率电池类型 面积（cm2） 效率（%） 电池结构一般Si太阳电池 64cm2 14.6 单结太阳电池先进Si太阳电池 4cm2 20.8 单结太阳电池GaAs太阳电池 4cm2
21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge

非晶硅与多晶硅串联电池转换效率最高。它具有成本低、耗能少、工序少、价廉高效等优点 (3)用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池〔19〕：Ⅲ-Ⅴ族化合物(如GaAs,InP)具有较高

n-CulnSe2／p-CulnSe2、（InCd）S2／CulnSe2、CdS／CulnSe2、ITO／Cu1nSe：、GaAs／CulnSe2、ZnO／CulnSe2等。在这些光伏器件中，最为人们重视
薄膜的制音方法 4．1．1 半导体液相外延生长法（LPE法） LPE法生长技术已广泛用于生长高质量的外延层和化合物半导体异质结构，如GaAs、AIGaAs、Si、Ge、siGe等。LPE

聚光单晶硅电池$ 26.8±0.8 美国SunPower公司 96倍聚光 GaAs多结电池 34.7±1.7 Spectrolab 333倍聚光
多晶硅太阳电池 20.3±0.5 德国弗朗霍夫研究所 1.002cm2面积 InGaP/GaAs 30.28±1.2 日本能源公司 4cm2面积

Low-k晶圆、砷化镓（GaAs）晶圆、太阳能电池、功率半导体、共用晶圆（MPW）或超薄晶圆等。　　*实现任意厚度的贯穿切割　　*使用标准划片胶带