EVA

，并作为选型的重要依据，技术标准应覆盖关键设备的关键性能，同时也要具体到重要元器件的技术性能，如组件EVA关联度、背板耐紫外老化性能、逆变器防雷性能等。 另外，在项目实施阶段即设备制造、到货验收和设备

成本下降了65%，后续趋于平缓;组件成本在2013年以前主要依托于多晶硅价格的下降，而2013年之后则仅仅依靠背板、EVA、玻璃等辅材价格下降来满足总成本下降，但目前辅材的下降空间也已非常狭小。据预测

成本下降了65%，后续趋于平缓；组件成本在2013年以前主要依托于多晶硅价格的下降，而2013年之后则仅仅依靠背板、EVA、玻璃等辅材价格下降来满足总成本下降，但目前辅材的下降空间也已非常狭小。据预测

2013年，硅料成本下降了65%，后续趋于平缓；组件成本在2013年以前主要依托于多晶硅价格的下降，而2013年之后则仅仅依靠背板、EVA、玻璃等辅材价格下降来满足总成本下降，但目前辅材的下降空间也已非

，并作为选型的重要依据，技术标准应覆盖关键设备的关键性能，同时也要具体到重要元器件的技术性能，如组件EVA关联度、背板耐紫外老化性能、逆变器防雷性能等。另外，在项目实施阶段即设备制造、到货验收和设备安装

，技术标准应覆盖关键设备的关键性能，同时也要具体到重要元器件的技术性能，如组件EVA关联度、背板耐紫外老化性能、逆变器防雷性能等。另外，在项目实施阶段即设备制造、到货验收和设备安装阶段应进行全面严谨的

EVA，焊带以及背板，不同厂家在工艺水平上接近，但是在玻璃上存在很多不同的压延辊，间接出现了不同的压花面，虽然在功率测试上没有大的区别，但是在发电量上，由于结构面对不同入射角上光学的不同响应，合理的结构面将有助于提升发电量水平。 无

单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带
单晶和多晶电池片光谱效应QE的差异。电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目

组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的
多晶电池片光谱效应QE的差异。 电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目减少