EV电池

非晶硅（公司：Unisolar），太阳能电池板测量工具（公司：Rudolph技术公司），太阳能气化（公司：Air Products），用于替代能源转换的半导体器件设计 差的：在厚玻璃板上分解非晶硅
设备（公司：AKT） 微机电系统 好的：用于200毫米及以下晶圆的MEMS设备（公司：Tegal）；用于RFID生产的设备和材料（公司：Tegal） 差的：用于汽车行业的MEMS设备和材料，原因是汽车行业已放缓（公司：EV集团）

～3.6eV的“第二代”﹑以及禁带宽度约为1.6eV，LUMO 约为3.8eV的“第三代”材料代替禁带宽度2.1eV左右，LUMO约为3.3eV的现有材料。如果采用层叠串联太阳能电池的方法，到2011年左右

～3.6eV的“第二代”﹑以及禁频宽度约为1.6eV，LUMO约为3.8eV的“第三代”材料代替禁频宽度2.1eV左右，LUMO约为3.3eV的现有材料。如果采用层迭串联太阳能电池的方法，到2011年左右

加拿大研究团队宣称，在硅晶体上制作一层成分保密的化合物半导体单晶，可使传统太阳能电池的效率倍增。这种新型的太阳能板结合了低价硅基太阳能电池的普遍性，以及较昂贵的化合物半导体技术的高效能，可望在
三年内进入量产。 McMaster大学的Rafael Kleiman表示，该小组的目标是研发出适用于单日照的太阳能电池。他们将使用学校现有的分子束外延(Molecular Beam

薄膜太阳电池只有2微米厚度，与晶硅电池200微米厚度相比，材料消耗很小。CIGSSe薄膜是一种直接带隙半导体材料，其重要特性是能隙可通过Ga掺入量进行调节。CIGSSe材料禁带宽度可以在1.04eV

结构，是直接带隙材料，带隙较宽，为2.42eV。实验证明，由于CdS层吸收的光谱损失不仅与CdS薄膜的厚度有关，还与薄膜形成的方式有关。1.2 CdS薄膜光学性质 CdS薄膜广泛应用于太阳电池窗口
索比光伏网讯:引言 近几年来，光伏市场发展极其迅速，1997年光伏组件的销售量达122Vw，比上年增加38％。世界主要几大公司宣称，近期光伏组件产量将会增加到263.5MW，其中薄膜太阳电池将

技术。? (2)硅-硅串联结构太阳能电池〔18〕：通过非晶硅与窄禁带材料的层叠，是有效利用长波太阳光，提高非晶硅太阳能电池转换效率的良好途径。研究表明，把1.3ev和1.7ev光 学禁带度组合起来的薄膜

层作电极，形成太阳电池。 在Cu2S/CdS太阳电池中，由于两种材料的亲和力失配，相差0.3eV，因此使扩散电位被限制在0.8eV,降低了太阳电池的开路电压。为此，提出了采用由CdS和ZnS

非晶硅太阳电池属于半导体结型太阳电池，可以依据结型太阳电他的模型对其理想的光伏性能作出估算。有1．7eV带隙的非晶硅太阳电他的理论效率在25％左右。实际上，第一阶段制作的小面积电池初始效率约为理论

。 形成异质叠层太阳电池的材料的带隙必须有恰当的匹配才可能获得最侄的效果。目前流的非晶硅铐为基础的异质叠层太阳电池较好的匹配带隙分别为1．8eV、1.6eV、1.4eV。除匹配带隙的要求外，组成叠