CIGS薄膜技术

μm。 他说，TCSS晶圆可以降低硅晶圆基的PV制造设备投入，使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具，可以沉积多晶硅，或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS
衬底薄膜技术的空间效率高50%，表面更粗糙的面板。” 此外TCSS方法可以降低对厚硅晶圆以及昂贵的多晶硅生产设备的需求。硅晶圆具有晶体结构，可以获得约15-22%的转换效率，这一

，CIGS薄膜太阳能电池/模组的产量已由2006年的5MW，成长至2007年的21.5MW，占所有薄膜技术产量总和的4.8%。以下就近年发展较快的厂商作一介绍。 (一)Wurth Solar 德国的
在太阳光电热潮不退，而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下，全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造，且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升

在太阳光电热潮不退，而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下，全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造，且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升
到2007年的10.4%，一般认为至2010年应可达到20%。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的技术，各领导厂商间的发展亦互有差异。以下就各类薄膜技术的领导厂商之发展概况作一说明。一、硅薄膜

产业规模比例 薄膜技术的兴起带动了国内新一轮太阳能光伏产业投资热潮，未来3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉(CdTe)和CIGS等技术将会有新的突破，卷式(roll-to-roll)设备和

太阳能光伏产业投资热潮，未来3-5年随着薄膜技术的日趋成熟，碲化镉(CdTe)和CIGS等技术将会有新的突破，卷式(roll-to-roll)设备和可印刷铜/铟/镓/硒(CIGS)墨水等设备应用的技术创新也会取得新进展。这将有望进一步带动中国太阳能光伏产业新一轮增长。 (编辑:xiaoyao)

CIS/CIGS、碲化镉CdTe)，与新概念的染料敏化类。 　　虽然目前薄膜太阳能电池的市占率不到一成，其转换效率、量产良率、设备成本等问题也待克服，然而薄膜太阳能电池具节省材料、可在价格低廉的玻璃、塑料
或不锈钢基板上制造、可大面积制造、可制成可挠性、容易搭配建筑外墙施工应用弹性大等优点，已广被各太阳光电业者、研究机构所看好，将是次世代的太阳光电明星产品。 　　薄膜技术中以非晶硅太阳能电池为最大宗，而

）或铜铟镓硒（CIGS）完全取 代了硅材料。尽管CIGS的实验结果令人满意，但是由于其产品的尺寸问题，这项技术尚不能进入商用阶段。与此同时，First Solar (Tempe, Ariz.)在薄膜
6-8%，而后者达到了13-19%），但是这项技术却在其它一些方面表现突出。总体上，我们相信薄膜技术的成本优势十分突出，但是困扰我们的是还没有合适的量产产品来发挥这一优势，Sargent说道

电池相对于晶体硅电池而言转换效率较低，但是整体成本具有优势，特别是近年来多晶硅原材料价格的暴涨使得这个优势更为明显。除了硅基薄膜电池以外，还有CdTe（碲化镉）和CIGS（铜铟镓硒）等薄膜技术，一些先进

，主要用于卫星和军事应用，通常采用光学聚光和复杂的跟踪系统，能够实现40%的转换效率。长期来看，薄膜技术对于降低太阳能光电系统的成本具有最大的潜力。薄膜太阳能电池中使用的材料，例如碲化镉(CdTe)和铟
化铜(镓)的二硒化物(CIS或CIGS)都是较强的吸光材料，只需要1mm的厚度。这样一来，材料成本就可以大大降低了。薄膜太阳能电池也能够采用非晶硅(a-Si)来制造，非晶硅是第一种实现商用太阳能产品的

生产也进入了一个白热化阶段。目前的薄膜电池技术主要包括非晶硅、CIGS、碲化镉等。非晶硅薄膜技术目前相对较为成熟。 与会者的普遍观点是不宜对薄膜电池过分乐观。理由主要包括：（1）随着硅料供求缓解和价格