CIGS薄膜技术

%至5%，尺寸也小。其后随着技术进步，并通过改善材料的结构与设备装置等，逐步提升转换效率。目前普遍采用非晶硅、锑化镉、铜铟镓硒等三种薄膜技术。其中，CIGS的转换效率较高，发电时的背板不易发烫，但制作
市场，也是个全新的运营商机，厂商只要能找到利基产品，有一定的市场需求，配合稳健的财务结构，就有机会胜出。 　　　　薄膜技术的发展其实相当早，最初的商品化应用包括计算机、温度计等，但转换效率低，只有约4

的户外测试设施，同时让现有的硅晶模块检测中心提供更完整的服务。薄膜技术是环保能源的一项最新科技，也是太阳能市场迅速发展最重要的技术之一。此外，未来德国莱因日本公司将会扩大其太阳能模块的检测能力。新的
化镉（CdTe）和铜铟镓硒（CIGS）等各类薄膜基板的检测，针对太阳能模块及零件认证，于安全性及耐久性部分提供客户最好最佳的解决方案。德国莱因集团是太阳能行业世界知名的检测与认证机构，可提供一站式购足

审查与型式认证。这项新增项目加强了现有的户外测试设施，同时让现有的硅晶模块检测中心提供更完整的服务。 　　薄膜技术是环保能源的一项最新科技，也是太阳能市场迅速发展最重要的技术之一。 　　此外
，以应对多接面（Multi-junction）、非晶硅（a-Si）、锑化镉（CdTe）和铜铟镓硒（CIGS）等各类薄膜基板的检测，针对太阳能模块及零件认证，于安全性及耐久性部分提供客户最好最佳的

降低约50%，达到1.4美元每瓦，CIGS组件的成本将降至0.75美元每瓦。●　　随着效率的提升，相对于传统的多晶硅制造商，高效率的单晶硅和低成本的薄膜技术将有30%的成本优势。2009年将是
报告，分析了影响区域和全球光伏技术需求的因素。报告称，2009年将出现自1994年以来最虚弱的成长率，到2012年亚洲多晶硅和铜铟镓硒(CIGS)电池将占据光伏产业的主导地位，而碲化镉(CdTe)和极

了一份报告，分析了影响区域和全球光伏技术需求的因素。报告称，2009年将出现自1994年以来最虚弱的成长率，到2012年亚洲多晶硅和铜铟镓硒(CIGS)电池将占据光伏产业的主导地位，而碲化镉(CdTe
2008年的28%上升到2012年的50%。 到2015年硅基电池组件的成本预期将降低约50%，达到1.4美元每瓦，CIGS组件的成本将降至0.75美元每瓦。 随着效率的提升，相对于传统

。有资料显示，美国薄膜电池的产量已经超过了多晶硅和单晶硅电池的产量。薄膜技术会越来越成熟，在未来的市场份额中将大比例提升。据行业分析公司NanoMarkets预测，薄膜太阳能电池2015年的发电量将
达到26GW，销售额将超过200 亿美元，太阳能电池发电量的一半以上将来自薄膜太阳能电池。预计在未来薄膜电池市场中非晶硅(a-Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)三种电池将分别占到薄膜光伏

(Tandem)的硅薄膜量产技术渐渐崭露头角，而未来3复合层太阳能电池(Triple Junction)量产技术是否能成功，才是攸关硅薄膜技术能否胜出的关键。而2009年将会是铜铟镓硒(CIGS
)太阳能电池关键的1年，市场预期将有更多CIGS厂商加入量产行列。 产业仍处婴儿期 中期朝太阳能发电与市电成本相当为目标 现阶段太阳能仍处于扶植中的产业型态，由于量产技术所需成本仍高

(CIGS)等相关设备厂均有机会，市场传言多样，对相关设备厂来说，友达订单花落谁家？是人人有机会各个没把握。 友达2008年10月由总经理陈来助领军宣布，投入转换效率为10%的第3代薄膜太阳能
了解动作，传言目前3个主要腹案评估的范围也包括上述2个类型的薄膜技术。 有太阳能厂商指出，若以堆栈式微晶硅为主，则友达的设备订单落在3大国际设备厂，包括美商应材(Applied)、瑞士商欧瑞康

非晶硅薄膜技术，预计到2010年，非晶硅薄膜将占薄膜太阳能电池产量的一半，其产量在未来薄膜太阳能电池中更将使占据主要份额。同时，碲化镉（CdTe）薄膜电池，作为2007年产量最大的太阳能电池，在被非晶硅薄膜
非主流的特殊太阳能电池技术由少数公司采用。同时，铜铟镓硒（CIGS）作为“最令人激动、也是最难琢磨的技术”，可能在2009年取得突破性进展，一些采用该技术的公司可能会于2011年达到first

降低硅晶圆基的PV制造设备投入，使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具，可以沉积多晶硅，或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS化合物薄膜。 Gupta还介绍说，除了设备成本
。” 由于未披露其独享的知识产权信息，该技术开发公司仅仅发布对了TCSS技术基本原理的研究，并表示将“扩展这项可靠的晶体硅技术，达到PV模块所需的每片低于2美元的程度，与此同时，可以提供比玻璃衬底薄膜技术的