高效硅异质结薄膜电池技术

-制造工艺-产品-商业模式全价值链持续创新，核心内容是实现新型高效率（22%-25%）异质结电池（N型硅+非晶硅薄膜）先进技术规模量产，并结合超薄硅晶圆金刚石线锯切片和智能栅线连接等先进制造工艺。制造的

欧洲光伏产业从技术研发-制造工艺-产品-商业模式全价值链持续创新，核心内容是实现新型高效率（22%-25%）异质结电池（N型硅+非晶硅薄膜）先进技术规模量产，并结合超薄硅晶圆金刚石线锯切片和智能栅线

SunPower开发出的N型单晶硅IBC 电池的最高转换效率达25% ，松下N型单晶硅HIT异质结电池转换效率高达24.7% ，去年推出的HIT+IBC电池的效率高达创记录的25.6
% (Panasonic)。以上数据全部是基于单晶硅技术的实验室记录，而多晶硅电池最高实验室转换效率仅为20.8% ，差别是比较大的。单晶硅电池在各项主要参数上均全面高于多晶硅电池，在未来高效率发展方面具有更大的潜力

示IBC电池技术简述IBC电池也是采用N型单晶硅片生产，目前实验室最高效率可达到25%，量产平均效率23%。从图8可以看到，IBC电池正面没有栅线，所有的栅线全部集中在后面。它最大的特点是制程比较复杂

PlantSystems。HIT（HeterojunctionwithintrinsicThinlayer，异质结）是一种高效电池技术，在单晶硅层之间铺上一层非晶硅薄膜，借此改变PN结之间的构造，使光电转换

Plant Systems。 HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer，异质结）是一种高效电池技术，在单晶硅层之间铺上一层非晶硅薄膜，借此改变PN结之间的

三井物产Plant Systems。HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer，异质结）是一种高效电池技术，在单晶硅层之间铺上一层非晶硅薄膜，借此改变PN结

（HDT）电池技术。HDT的生产工艺更简洁，我相信HDT是未来的主流，单面转换效率在世界上已被证明接近26%。单晶异质结电池技术整合晶硅材料和薄膜技术，而钧石中国在薄膜技术上有着坚实的基础和雄厚的技术支撑

光能有限公司自2011年建立薄膜硅/晶体硅异质结高效率太阳电池联合实验室，共同致力于HIT太阳电池的技术研发。国家人才计划刘正新博士带领科研团队在三年多的时间里完成了团队建设、实验室和中试线建设、技术攻关

异质结（HIT）太阳电池技术受到业内关注，也是高效晶体硅太阳电池技术产业化的热点之一。本课题顺应晶体硅太阳电池高效率和低成本的发展趋势，利用薄膜硅对晶体硅表面的良好钝化效果，结合TCO薄膜和低温电极