高密度封装

计划，支持扩大生产规模。在科技部的“十一五”支撑计划中，2007年启动了多晶硅产业化关键技术研究、大尺寸低水峰光纤预制棒产业化技术、半导体封装用铜基材料产业化等项目。原信息产业部电子发展基金中对高密度
芯片产能规模将有非常大的提升，这就意味着砷化镓抛光片需求量将有很大增加，年需求量将达到100万片～120万片。 主要封装材料：产量逐步增加 引线框架是半导体芯片封装的

300mm（直径）硅晶圆的厚度一般为775m。而后工序处理的晶圆的厚度则不同，为了实现高密度封装，近来已减薄到了100m以下。此次XSiL公司将上市激光切割机X300D+的特点是：可在设备内部连续进行此前

带尾态。带尾态与键长、键角的随机变化有关，导带底价带顶被模糊的迁移边取代，扩展态与局域态在迁移边是连续变化的，高密度的悬挂键在隙带中引进高密度的局域态。通常隙态密度高于1017／cm3，过剩载流子通过
性能衰退严重，寿命较短，严重影响消费者的信心，造成市场开拓的困难，有些生产线倒闭，比如CHRONAR公司。2．4封装的不稳定问题 第一阶段a-Si太阳电池产品性能衰退问题实际上有两个方面，即