靶材

制造：制造企业不断解决电池、组件问题，同时大力开辟下游终端市场;HJT材料：银浆企业、靶材企业等企业推出匹配HJT的创新产品。 未来1-2年内，在同样的硅片尺寸条件下，HJT的单W成本会不断逼近
%，银浆消耗量下降50%，靶材用量下降60%等，2021年降本仍将持续，产业推进势头将会更加强劲。 2019-2020年：资源投入开始成果兑现，HJT从泡沫破灭期走向复苏期，设备企业开发

制造：制造企业不断解决电池、组件问题，同时大力开辟下游终端市场;HJT材料：银浆企业、靶材企业等企业推出匹配HJT的创新产品。 未来1-2年内，在同样的硅片尺寸条件下，HJT的单W成本会不断逼近
50%，银浆消耗量下降50%，靶材用量下降60%等，2021年降本仍将持续，产业推进势头将会更加强劲。     2019-2020年：资源投入开始成果兑现，HJT从泡沫破灭期走向复苏期，设备

，异质结电池非硅成本的临界范围约在0.4-0.5元/W。目前异质结电池非硅成本水平大致位于0.6-0.7元/W区间，在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力。预计9BB多主栅工艺对银耗的降低可
节省非硅成本0.05-0.06元/W;SmartWire技术和低温银浆的国产化则有望进一步降低银浆成本。设备方面，全部国产化预计可降低折旧成本约0.05元/W;靶材方面单耗和价格的下降预计可降低成本约

影响： 1. 有利于中国企业进口银粉、银浆、ITO靶材等高价值辅材2. 有利于中国企业进口封装胶膜和背板用POE/EVA/PET等大宗原料3. 有利于中国企业进口光伏制造用高端装备及其零部件4.

潜力可期。 PVD：国产化降本空间相对有限，靶材优化料助力提效 PVD 整体工艺较为成熟，难度低于 PECVD，各家设备厂商在技术端差异不大， 单台设备产能已实现较高水平，且基本已处于半国产化状态
，国产化降本空间 相对有限。产能提升并非 PVD 设备向上优化的瓶颈，努力方向在于改善 TCO 薄膜透光性、均匀性、传导性等指标进而提升电池转换效率，未来靶材的创新 优化或助力进一步突破效率瓶颈

表示：为改善异质结成本问题，晋能科技目前已从导电银浆、ITO靶材、制绒添加剂等方面展开降本工作。随着异质结电池设备投资额的逐渐下降，银浆，靶材等原材料实现国产化及异质结电池的薄片化，异质结电池的量产

PERC电池，异质结的性价比需要等产业链配套，规模扩大实现成本竞争力。难以判断HJT的性价比何时才能达到甚至反超PERC。 HJT电池成本主要包括自硅料、浆料、折旧和靶材，分别占总成本的47%、24

解决方向，TOPCon制程进展可望向前一步。HJT制程步骤则较为简易，技术困难点易解，但设备成本、靶材成本、银耗量则为HJT的硬伤，降本仍为未来2-3年首要任务。 N型技术除制程精进及降本，双面

。通过加强研发投入的方式，东方日升在多主栅(9BB)半片异质结组件、超大超薄硅片、臭氧清洗、靶材优化等方面取得核心进展，尤其是通过无损切割、9BB半片、超薄硅片的相关技术，使Ag浆和硅成本大幅度降低