非晶硅
。 薄膜电池属于非晶硅结构，其与晶硅电池最大的不同在于其厚度，不到1m，连晶硅电池厚度的1/100都不到，从而大大降低了制造成本。 非晶硅结构的太阳能电池又有制造温度很低(-200C)、易于实现大面积
薄膜或单晶薄膜。硅材料包括单晶硅、多晶硅和非晶硅。单晶硅具有规则的结构，它比多晶硅光电转换率高。
非晶硅中的硅原子是随机分布的，其光电转换率也低于单晶硅，但是与晶体硅相比，它能捕捉到更多的光子，同时
在非晶硅中添加锗或碳进行合金化可以增强其这一特性。
铜铟硒(Copperindiumdiselenide,CIS)、碲化镉(cadmiumtelluride,CdTe)和薄膜硅都是常用的多晶薄膜材料
企业众多(与非晶硅电池相似)。 光伏电站建设 (2009 - 2017) 合肥阳光、华为等逆变器企业发展强劲，从中广核的敦煌10 MW 电站开局，众多央企与民企投入此中，我国领跑光伏电站建设速度与
及组件技术，都是在国外完成全部技术开发之后再引入全套生产设备在国内生产，普通晶硅、PERC、HJT、非晶硅、CIGS、CdTe莫不如是;而钙钛矿技术，是中国企业第一次从材料、设备到工艺全面实现自主研发
，因而异质结电池具有较高的开路电压，从而具有较高的电池效率。
✔工艺：核心工艺与PERC完全不同
异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与PERC工艺的区别
在于：1)非晶硅薄膜沉积环节，使用CVD(PECVD或Cat-CVD)沉积本征氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD或RPD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4
都在电池背面，光线利用率提高。 HIT电池：Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer(本征-薄膜异质结),其特征为在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入一层本征非晶硅
。 SHJ技术作为汉能薄膜太阳能技术路线之一，继承了汉能在非晶硅、微晶硅和TCO薄膜技术领域长期积累的经验；由世界太阳能前沿领域领军人物带队，搭建了一支年轻化、行业经验丰富的青年科学家研发团队，经过几年的实验
)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。半导体量子结构不仅不解决问题，还会引发新的问题。 图6：底
GW级企业。 10、FirstSolar:FirstSolar是唯一一家在2011~2017年间都入选前十的国外企业，也是唯一一家非晶硅太阳能企业。根据FirstSolar2018第三季度的财报
人员还未找到合适的材料。碲化镉(CdTe)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。半导体量子结构不仅不解
