非晶硅薄膜
面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至不低于7%；同时今年新增了要求CIGS薄膜组件光电转换效率不低于10%。并网逆变器方面，无
光伏电池组件、光伏逆变器和储能蓄电池等关键设备必须具备一定的资质。比如：要求晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)14.5%，非晶硅薄膜光伏组件7%，CIGS薄膜光伏组件10%。且
、便于大面积连续生产等显著的优势。非晶硅薄膜太阳能电池更具有原材料丰富、无毒、无污染、能耗最低等优点。就光伏建筑的主要应用之一太阳能屋顶而言，薄膜电池更能发挥其技术优势。首先，薄膜电池弱光响应效应更好
连续生产等显著的优势。非晶硅薄膜太阳能电池更具有原材料丰富、无毒、无污染、能耗最低等优点。就光伏建筑的主要应用之一太阳能屋顶而言，薄膜电池更能发挥其技术优势。首先，薄膜电池弱光响应效应更好，单位成本
一、电池组件（一） 性能要求1. 晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2. 工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前
）不低于组件标称功率；3. 使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%；4. 晶体硅
(一)性能要求1.晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2.工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前）不低于组件标称功率
；3.使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%；4.晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照
组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜光伏组件7%，CIGS薄膜光伏组件10%。且光伏电池组件生产企业注册资本不低于1亿元。招标规模或扩大资料显示，金太阳示范工程于2009年启动，第一期示范工程包括329
为8元/瓦。 作为前三年独立补贴的非晶硅薄膜组件，2011年补贴额为8元/瓦，由于价格跌幅较少，故此次享受与晶体硅组件相同补贴，不再作为单独补贴选项列出。 第一批工程中有39个项目围而不建
光电转换效率（含组件边框面积）≥14.5%，非晶硅薄膜组件≥7%，CIGS薄膜组件≥10%。
2、工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前）不低于组件标称功率。
3、使用寿命
不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%。
4、晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照GB
薄膜电池中，唯有硅薄膜电池原材料储量丰富，且无毒、无污染，更具持续发展前景。硅薄膜电池又可分为非晶硅薄膜、微晶硅薄膜、多晶体硅薄膜3种。
