非晶硅电池
，需要针对性开发适合于异质结电池和组件的互联和层压工艺。 2. 异质结电池用低温银浆和非晶硅层耐湿性、耐钠性较差;并且和PERC电池所不同，异质结电池接触封装胶膜的主要是TCO薄膜。因此，需要开发
装备实现TOPCon电池核心材料 超薄氧化硅+原位掺杂非晶硅 的制备，同时在抑制非晶硅爆膜、防止电场导通，以及实现高效太阳能电池全工艺集成等关键技术方面取得了重大突破，推出了简化工艺流程解决方案
目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节。目前PERC电池
任务，并进行定位、二次配等工作，各项介质也将陆续供应，确保项目在7月底顺利投产。 与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池
沉积，就可制备太阳能电池面板。基本上分为：非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池和碲化镉薄膜电池三种。 其中，非晶硅薄膜电池转换效率低，铜铟镓硒薄膜电池成本较高，所以First Solar选择了碲化镉薄膜电池
两年多家公司进入试生产线环节 并加大 HJT 电池产业化的投资力度，HJT 电池技术迎来快速发展期。 HJT 电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。HJT 电池主要由 N
。同时由于 HJT 电池双面对称,正反面受光照后都能发电,可以做成双面发电组件。 (2)低温制造工艺。HJT 电池采用硅基薄膜工艺形成 p-n 结发射区,制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成
：HJT发展潜力大，为下一代电池技术方向 HJT电池的生产工艺相对简单但技术难度高，设备国产化持续推进中。HJT只需4步工艺但技术难度较大：制绒清洗设备(投资占比10%)、非晶硅沉积设备(投资占比
板生产设备： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法
输出功率1800w，可扩展到3600w。两款微逆最大直流输入电流可达20A，可完美匹配双面和182、210大功率组件。大电压扩展也可同时匹配晶硅和非晶硅组件，支持功率因数可调，远程升级等一系列功能;顺应
应用于光伏存量市场和新增市场;安装灵活方便，支持多种工作模式，有单相和三相机型，48V低压电池输入，保障用户安全，转换效率高达96.5%，具备离网功能，可以毫秒级切换备用设备给家庭负载供电。储能逆变器和
